tailieunhanh - Bài giảng Điện tử 1: Phần 2 - Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

Bài giảng môn "Điện tử 1" trang bị cho sinh viên các kiến thức về nguyên tắc hoạt động và mạch áp dụng các linh kiện bán dẫn như: Diode, Transistor, FET, UJT, PUT SCR TRIAC. Phần 2 của bài giảng có nội dung trình bày về: transistor hiệu ứng trường – FET; thyristor và các linh kiện khác; mạch khuếch đại biên độ nhỏ dùng transistor. Mời các bạn cùng tham khảo! | BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 CHƯƠNG 3 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 97 CHƯƠNG 03 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET Trong chương 3 chúng ta khảo sát một dạng thứ hai của transistor áp dụng hiệu ứng trường FET Fiel-Effect Transistor . Không như transistor FET là linh kiện đơn cực unipolar khi giải thích nguyên tắc hoạt động chúng ta không dùng đến dòng lổ trống và electron tự do mà chỉ sử dụng duy nhất một loại điện tích tải charge carrier . FET bao gồm hai loại chính JFET Junction Field-Effect Transistor và MOSFET Metal Oxide Semiconductor Fiel-Effect Transistor . Transistor là loại linh kiện kiểm soát dòng điện dùng dòng cực nền để điều khiển hay kiểm soát dòng cực thu. Với FET thì khác đây là linh kiện được điều khiển bằng điện áp dùng áp giữa hai đầu cực cổng Gate và nguồn source để kiểm soát hay điều khiển được dòng qua linh kiện. Đặc điểm chính của FET là loại linh kiện có giá trị tổng trở nhập rất lớn. JFET JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR JFET được tạo thành từ thanh bán dẫn n hay p được gọi là kinh n n channel hay kinh p p channel . Tại khoảng giữa của JFET kinh n được khuếch tán các vùng bán dẫn p tương tự với JFET kinh p tại khoảng giữa chúng ta khuếch tán các lớp bán dẫn n xem hình JFET có 3 đầu ra đầu trên của kinh là cực Drain cực D còn được gọi là cực Máng hay cực Thoát đầu dưới của kinh là cực Source cực S hay cực Nguồn . Phần bán dẫn khác loại với kinh được khuếch tán vào linh kiện được gọi là cực Gate cực G hay cực Cổng Hình H TẮC HOẠT ĐỘNG Trong hình trình bày phương pháp cấp nguồn áp DC phân cực cho JFET kinh n. Áp VDD được cấp giữa hai đầu cực D và cực S điện thế cực D cao hơn điện thế cực S . Áp VGG dùng phân cực ngược các cực G và S điện thế cực S cao hơn điện thế cực G . JFET luôn luôn hoạt động với mối nối pn giữa cực G và cực S phân cực ngược. Điện áp phân cực ngược giữa cực G và cực S tạo thành vùng nghèo dọc theo mối nối pn. Vùng nghèo trải rộng trong kinh n làm giảm độ rộng của kinh xét tại cực G dẫn đến điện trở .