tailieunhanh - Hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN đồng nhất

Bài viết nghiên cứu lý thuyết về hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn pha tạp GaN/AlGaN đồng nhất. Trong quá trình tìm hàm sóng của điện tử, giải phương trình sóng Fang-Howard trong mô hình giếng tam giác sâu hữu hạn có tính đến sự ảnh hưởng của các nguồn giam giữ chính từ các thể cho ion hóa, các điện tích phân cực bề mặt, các tạp chất ion hóa và khí điện tử hai chiều (2DEG). | HÀM SÓNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG DỊ CẤU TRÚC BÁN DẪN GAN ALGAN ĐỒNG NHẤT TRẦN ĐẠI CƯỜNG TRẦN THỊ LAN - PHẠM THỊ THANH TẤN LIÊN Khoa Vật lý Tóm tắt Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu lý thuyết về hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn pha tạp GaN AlGaN đồng nhất. Trong quá trình tìm hàm sóng của điện tử chúng tôi giải phương trình sóng Fang-Howard trong mô hình giếng tam giác sâu hữu hạn có tính đến sự ảnh hưởng của các nguồn giam giữ chính từ các thể cho ion hóa các điện tích phân cực bề mặt các tạp chất ion hóa và khí điện tử hai chiều 2DEG . Kết quả cho thấy rằng sự phân bố của điện tử chủ yếu nằm trong giếng thế và đỉnh sóng nằm trong vùng kênh gần với rào thế. Khi mật độ thành phần Al tăng thì đỉnh sóng có xu hướng dịch chuyển về gần với rào thế đỉnh sóng và xác suất tìm thấy điện tử trong giếng thế cũng cao hơn. Điều này có nghĩa là xác suất để điện tử truyền qua rào thế giảm đi. 1 GIỚI THIỆU Trong suốt 3 thập kỉ qua sự phát triển của vật liệu bán dẫn nhóm III-N là rất ấn tượng với những sự đột phá có tính chất cách mạng diễn ra vào những năm của thập niên 90. Chúng được xem như là những vật liệu đầy hứa hẹn cho những ứng dụng điện tử và quang điện tử. Vật liệu nhóm III-N có tính ứng dụng cao và đang thu hút sự quan tâm của các nhà nghiên cứu. Các dị cấu trúc dựa trên hợp chất Nitơ nhóm III thu hút hàng loạt các nghiên cứu chuyên sâu do những tiềm năng đầy hứa hẹn trong khoa học công nghệ. Điều hấp dẫn của các dị cấu trúc này là sự hiện diện của khí điện tử với mật độ cao cỡ 1013 hạt cm2 . Đặc biệt do hiệu ứng giam giữ lượng tử độ linh động của khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử cao hơn so với trong bán dẫn khối. Một trong các dị cấu trúc thu hút nhiều nghiên cứu chuyên sâu của các nhà khoa học là GaN AlGaN. Độ linh động của khí điện tử hai chiều là đại lượng có ảnh hưởng mạnh lên khả năng hoạt động của các transitor có độ linh động điện tử cao và độ linh động này là một hàm của nhiệt độ mật độ khí điện tử hai chiều và thành phần hợp kim. Mật độ