tailieunhanh - Hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN đồng nhất

Bài viết nghiên cứu lý thuyết về hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn pha tạp GaN/AlGaN đồng nhất. Trong quá trình tìm hàm sóng của điện tử, giải phương trình sóng Fang-Howard trong mô hình giếng tam giác sâu hữu hạn có tính đến sự ảnh hưởng của các nguồn giam giữ chính từ các thể cho ion hóa, các điện tích phân cực bề mặt, các tạp chất ion hóa và khí điện tử hai chiều (2DEG). | HÀM SÓNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG DỊ CẤU TRÚC BÁN DẪN GAN ALGAN ĐỒNG NHẤT TRẦN ĐẠI CƯỜNG TRẦN THỊ LAN - PHẠM THỊ THANH TẤN LIÊN Khoa Vật lý Tóm tắt Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu lý thuyết về hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn pha tạp GaN AlGaN đồng nhất. Trong quá trình tìm hàm sóng của điện tử chúng tôi giải phương trình sóng Fang-Howard trong mô hình giếng tam giác sâu hữu hạn có tính đến sự ảnh hưởng của các nguồn giam giữ chính từ các thể cho ion hóa các điện tích phân cực bề mặt các tạp chất ion hóa và khí điện tử hai chiều 2DEG . Kết quả cho thấy rằng sự phân bố của điện tử chủ yếu nằm trong giếng thế và đỉnh sóng nằm trong vùng kênh gần với rào thế. Khi mật độ thành phần Al tăng thì đỉnh sóng có xu hướng dịch chuyển về gần với rào thế đỉnh sóng và xác suất tìm thấy điện tử trong giếng thế cũng cao hơn. Điều này có nghĩa là xác suất để điện tử truyền qua rào thế giảm đi. 1 GIỚI THIỆU Trong suốt 3 thập kỉ qua sự phát triển của vật liệu bán dẫn nhóm III-N là rất ấn tượng với những sự đột phá có tính chất cách mạng diễn ra vào những năm của thập niên 90. Chúng được xem như là những vật liệu đầy hứa hẹn cho những ứng dụng điện tử và quang điện tử. Vật liệu nhóm III-N có tính ứng dụng cao và đang thu hút sự quan tâm của các nhà nghiên cứu. Các dị cấu trúc dựa trên hợp chất Nitơ nhóm III thu hút hàng loạt các nghiên cứu chuyên sâu do những tiềm năng đầy hứa hẹn trong khoa học công nghệ. Điều hấp dẫn của các dị cấu trúc này là sự hiện diện của khí điện tử với mật độ cao cỡ 1013 hạt cm2 . Đặc biệt do hiệu ứng giam giữ lượng tử độ linh động của khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử cao hơn so với trong bán dẫn khối. Một trong các dị cấu trúc thu hút nhiều nghiên cứu chuyên sâu của các nhà khoa học là GaN AlGaN. Độ linh động của khí điện tử hai chiều là đại lượng có ảnh hưởng mạnh lên khả năng hoạt động của các transitor có độ linh động điện tử cao và độ linh động này là một hàm của nhiệt độ mật độ khí điện tử hai chiều và thành phần hợp kim. Mật độ

• Toán học
• Hàm sóng của điện tử
• Dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN đồng nhất
• Giải phương trình sóng Fang Howard
• Khí điện tử hai chiều
• Tạp chất ion hóa
• Kỷ yếu hội nghị khoa học
• Hội nghị khoa học Vật lý và Khoa học vật liệu
• Dải nano silicon dicarbide ngũ giác
• Tính chất điện tử
• Cấu trúc vùng điện tử
• Hàm sóng bloch
• Bài giảng Vật lý 2
• Vật lý 2
• Bài giảng Điện từ
• Nguyên tử hydro
• Hàm sóng electron
• Mật độ xác suất electron
• Hình dạng đám mây electron
• Năng lượng của electron
• Thủy tinh lithium borate lead
• Đồng pha tạp ion Sm3+ và Ce3+
• Tạp chí Khoa học Đại học Đồng Nai
• Thủy tinh borate
• Đo liều bức xạ ion hóa
• Công nghệ hóa
• Hấp dung uran
• Nhựa Amberlit ira 420
• Tạp chất kim loại
• Hóa hữu cơ
• Trao đổi ion
• Tạp chí Khoa học
• Hoạt hóa bùn thải
• Cử lý nước thải sinh hoạt
• Nước thải dệt nhuộm
• Vật liệu hấp phụ ion kim loại nặng
• Tái sử dụng chất thải
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Hóa học
• Chế tạo các hạt pherit ganet YIG
• Ion không từ
• Hạt nano pherit ganet đơn pha
• Tạp chí phân tích
• Phân tích chất chẹn beta
• Nước tiểu sử dụng kỹ thuật LC MS MS
• Chất chẹn beta
• Chất lỏng sắc ký điện hóa ion hóa
• hàm lượng magie
• chất xúc tác
• điều kiện phản ứng
• nghiên cứu hóa học
• công nghệ hóa học
• hóa học đời sống
• Luận văn Thạc sĩ
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học Vật chất
• Hóa vô cơ
• Tổng hợp oxit nano ZnO
• Điều chế vật liệu nano