tailieunhanh - Nghiên cứu mô phỏng các yếu tố ảnh hưởng đến nhiễu điện báo ngẫu nhiên (RTN) trong dòng điện rò GIDL của Saddle MOSFET

Bài viết Nghiên cứu mô phỏng các yếu tố ảnh hưởng đến nhiễu điện báo ngẫu nhiên (RTN) trong dòng điện rò GIDL của Saddle MOSFET trình bày các yếu tố ảnh hưởng đến nhiễu RTN trong dòng điện rò GIDL của Saddle MOSFET như điện áp, số lượng bẫy nhằm cung cấp cho quý vị cái nhìn toàn diện hơn về ảnh hưởng của nhiễu RTN tới hiệu năng của một trong những transistor tiềm năng, Saddle MOSFET. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2016. ISBN 978-604-82-1980-2 NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG CÁC YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN NHIỄU ĐIỆN BÁO NGẪU NHIÊN RTN TRONG DÒNG ĐIỆN RÒ GIDL CỦA SADDLE MOSFET Nguyễn Gia Quân Trường Đại học Thủy lợi email quanng@ 1. GIỚI THIỆU CHUNG Mô hình Saddle MOSFET trong mô phỏng Nhiễu RTN trong dòng điện rò GIDL bắt được thể hiện ở hình . Vùng giao giữa cực đầu được ghi nhận lần đầu tiên cách đây vài cổng và cực nguồn máng S D được thiết kế năm và trở thành một trong những đề tài hấp nhằm giảm thiểu dòng điện rò GIDL. Hình dẫn khi công nghệ sản xuất linh kiện bán dẫn và lần lượt là các mặt cắt tại cổng và tại ngày một cải tiến 1 2 . Kích thước của linh phần thân của transistor. Chiều dài của vùng kiện ngày một thu nhỏ hơn ảnh hưởng của làm giàu nồng độ thấp của cực máng nguồn nhiễu RTN sẽ ngày một lớn hơn 3 . Nhiễu LDD S D là 21nm trong khi đó của vùng làm RTN xảy ra khi các bẫy trong lớp oxide hoặc giàu nồng độ cao là khoảng 33nm. Lớp SiO2 trong lớp tiếp giáp Si SiO2 bắt hạt mang điện dày . Phần thân vây có độ dày là 20nm hay giải phóng các hạt mang điện 4 5 6 . được nối trực tiếp với phần đế. Nồng độ làm Dòng điện rò GIDL là một trong những giàu của phần thân là cm-3 trong khi nguyên nhân chính ảnh hưởng đến thời gian nồng độ của phần LDD là cm-3. Chiều nạp điện VRT của bộ nhớ DRAM. Dòng dài của cực cổng là 20nm. điện rò GIDL hình thành khi electron chuyển từ vùng hóa trị sang vùng dẫn bằng hiệu ứng đường hầm direct-tunneling hay dưới sự trợ giúp của bẫy traps indirect-tunneling tại khu vực giữa cực gate và cực drain của MOSFET 7 . Trong nghiên cứu này chúng tôi sẽ trình bày các yếu tố ảnh hưởng đến nhiễu RTN trong dòng điện rò GIDL của Saddle MOSFET như điện áp số lượng bẫy nhằm cung cấp cho quý vị cái nhìn toàn diện hơn về ảnh hưởng của nhiễu RTN tới hiệu năng của một trong những transistor tiềm năng Saddle MOSFET. 2. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Trong nghiên cứu này chúng tôi sử dụng mô phỏng 3D .