tailieunhanh - Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử

Trong nghiên cứu này, sự phân bố của các nguyên tử P và Sb pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát theo điều kiện xử lý nhiệt. Màng Ge được lắng đọng trên đế Si (100) bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử MBE (Molecular Beam Epitaxy). Phép đo phổ nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) và ảnh kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) được dùng để đánh giá chất lượng bề mặt của mẫu cũng như chất lượng tinh thể của màng Ge. | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 5 48 2021 63-69 63 5 48 2021 63-69 Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử Investigating the distribution of sb atoms in the Ge Si thin film co-doped with P and Sb using atom probe tomography method Lương Thị Kim Phượnga Lương Minh Anhb Nguyễn Thị Dunga Trịnh Thị Huyềna Luong Thi Kim Phuonga Luong Minh Anhb Nguyen Thi Dunga Trinh Thi Huyena a Đại học Hồng Đức 565 Quang Trung Phường Đông Vệ Thành phố Thanh Hoá Việt Nam a Hong Duc University Thanh Hoa City Vietnam CEA Greoble Cộng hoà Pháp b bCEA Grenobe France Ngày nhận bài 03 6 2021 ngày phản biện xong 27 6 2021 ngày chấp nhận đăng 13 10 2021 Tóm tắt Cấu trúc vùng năng lượng của Ge có thể bị thay đổi nếu tạo ra một ứng suất căng và pha tạp điện tử trong màng Ge. Điều này làm cho khả năng phát quang của Ge được cải thiện đáng kể. Một cách tiếp cận mới để tăng nồng độ các nguyên tố pha tạp trong mạng nền Ge được đưa ra là kỹ thuật đồng pha tạp từ hai nguồn rắn GaP và Sb. Trong nghiên cứu này sự phân bố của các nguyên tử P và Sb pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát theo điều kiện xử lý nhiệt. Màng Ge được lắng đọng trên đế Si 100 bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử MBE Molecular Beam Epitaxy . Phép đo phổ nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao RHEED Reflection High Energy Electron Diffraction và ảnh kính hiển vi điện tử truyền qua TEM được dùng để đánh giá chất lượng bề mặt của mẫu cũng như chất lượng tinh thể của màng Ge. Màng Ge được xử lý nhiệt sau khi tăng trưởng ở nhiệt độ 650oC trong vòng 60 giây để tạo ứng suất và kích hoạt điện tử pha tạp đồng thời cải thiện chất lượng tinh thể. Hiệu suất phát quang của màng Ge được đánh giá từ phép đo phổ huỳnh quang trong vùng hồng trí của các nguyên tử P và Sb được xây dựng lại nhờ kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử APT . Từ khóa Ge đồng pha tạp phân bố nguyên tử P và Sb kỹ .