tailieunhanh - Khảo sát ảnh hưởng của kích thước ống nano carbon lên đặc trưng của transistor ống nano carbon đồng trục

Trong bài viết này tác giả dùng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) kết hợp với Matlab để mô phỏng và khảo sát những tác động của đường kính và chiều dài ống nano carbon lên họ đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục. | Khảo Sát Ảnh Hưởng Của Kích Thước Ống Nano Carbon 26 Lên Đặc Trưng Của Transistor Ống Nano Đồng Trục KHẢO SÁT ẢNH HƯỞNG CỦA KÍCH THƯỚC ỐNG NANO CARBON LÊN ĐẶC TRƯNG CỦA TRANSISTOR ỐNG NANO CARBON ĐỒNG TRỤC THE EFFECT OF CARBON NANOTUBE SIZE ON THE CHARACTERISTICS OF COAXIAL CARBON NANOTUBE FIELD- EFFECT TRANSISTORS ThS. Nguyễn Thị Lưỡng ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TÓM TẮT Đặc trưng I-V của transistor trường ống nano carbon đồng trục CNTFET phụ thuộc vào nhiều thông số khác nhau như kim loại dùng làm điện cực nguồn-máng vật liệu và bề dày lớp oxit điện môi kích thước ống nano carbon nhiệt độ làm việc Trong bài viết này tác giả dùng phương pháp hàm Green không cân bằng NEGF kết hợp với Matlab để mô phỏng và khảo sát những tác động của đường kính và chiều dài ống nano carbon lên họ đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục. ABSTRACT The I-V characteristics of coaxial CNTFETs depend on mamy parameters such as the metal of Source-Drain the gate materials and the gate thickness the size of carbon nanotube the temperature In this paper we used the non-equilibrium Green s function NEGF method to simulate and present the effects of the diameter and length of the CNT on the I-V characterictics of coaxial CNTFETs. 1. MỞ ĐẦU Transistor trường ống Nano Carbon Carbon chủ trì cũng đã khảo sát ảnh hưởng của tán Nanotube Field-Effect Transistor CNTFET xạ phonon lên họ đặc trưng I-V của CNTFET là ứng viên đầy hứa hẹn để thay thế MOSFET đồng trục sử dụng phương pháp NEGF kết trong tương lai gần. Linh kiện ba chân này bao quả mô phỏng cho thấy dòng Id bão hòa của gồm một ống Nano bán dẫn nối hai tiếp xúc chuyển dời đạn đạo cao hơn chuyển dời có nguồn và máng hoạt động như kênh dẫn mang tán xạ khoảng 14 . Các nghiên cứu trên đều phần tử tải điện được đóng mở bằng tĩnh điện mô phỏng đặc trưng I-V của CNTFET kênh nhờ tiếp xúc thứ ba là cực cổng. Hiện nay có dài mà chưa khảo sát các hiệu ứng tán xạ trên nhiều nhóm nghiên cứu đang theo đuổi việc kênh ngắn dưới 20nm. chế tạo những linh kiện như thế