tailieunhanh - Nghiên cứu tổng hợp tinh thể nano silicon bằng phương pháp nhiệt khử magie

Vật liệu nano bán dẫn là một trong những vật liệu được ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp điện như đèn LED, pin mặt trời, pin điện. Bài viết nghiên cứu tổng hợp vật liệu tinh thể nano silicon bằng phương pháp nhiệt khử magie. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2017. ISBN 978-604-82-2274-1 NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP TINH THỂ NANO SILICON BẰNG PHƯƠNG PHÁP NHIỆT KHỬ MAGIE Lê Thu Hường1 Jeong-Huyn Dam2 1 Trường Đại học Thủy lợi email 2 Trường Đại học Quốc gia Chonnam email hdjeong2020@ 1. GIỚI THIỆU CHUNG nhiệt khử magie tại 670 C trong vòng 15 giờ dưới điều kiện khí argon trong lò nung. Sau Vật liệu nano bán dẫn là một trong những 15 giờ phản ứng trong lò nung sản phẩm thu vật liệu được ứng dụng rộng rãi trong công được được cho vào dung dịch HCl 20 và nghiệp điện như đèn LED pin mặt trời pin khuấy trong vòng 5 giờ để loại hoàn toàn điện 1-4 . Silic là một trong những nguyên MgO và Mg còn dư. Sản phẩm được thu tố phổ biến không độc hại và thân thiện với bằng phương pháp ly tâm và được rửa lại môi trường. Mặt khác chấm lượng tử silicon nhiều lần bằng nước cất. Tinh thể nano Si QD cũng có những tính chất quang đặc silicon thu được ở dạng bột màu nâu. biệt như hiệu ứng giam giữ lượng tử 5 . Vật Cấu trúc tinh thể nano silicon được xác định liệu tinh thể nano silicon Si NC đã và đang bằng phương pháp nhiễu xạ tia X hình 2 . Kết trở thành đối tượng nghiên cứu sôi động do những ứng dụng của chúng. Trong báo cáo quả nhiễu xạ tia X của bột tinh thể nano silicon này chúng tôi nghiên cứu tổng hợp vật liệu cho thấy các đỉnh nhiễu xạ đặc trưng của cấu tinh thể nano silicon bằng phương pháp nhiệt trúc lập phương kim cương tại góc 2θ theta là khử magie. 28 3 47 3 56 1 69 1 76 3 và 88 0 tương ứng với các mặt mạng 2. PHƯƠNG PHÁP VÀ KẾT QUẢ 6 . NGHIÊN CỨU Độ rộng bán cực đại của đỉnh nhiễu xạ β tại góc 28 3 kích thước của hạt tinh thể nano Quá trình tổng hợp tinh thể nano silicon silicon được tính theo công thức Sherrer bao gồm hai bước chính được trình bày trong hình 1 i Bước thứ nhất tổng hợp hạt D 6 cos nano silica SiO2 NP từ tetraethyl orthosilicate TEOS trong mi-xel đảo. ii Trong đó λ là bước sóng của tia X β là độ Bước thứ hai hạt nano silica được khử thành rộng