tailieunhanh - Nghiên cứu chế tạo hệ vật liệu đơn lớp phân tử diazonium trên nền graphite bằng phương pháp cấy ghép điện hóa

Bài viết "Nghiên cứu chế tạo hệ vật liệu đơn lớp phân tử diazonium trên nền graphite bằng phương pháp cấy ghép điện hóa" trình bày phương pháp biến tính bề mặt vật liệu graphite nhiệt phân định hướng (HOPG) - một loại vật liệu đa lớp của graphene bằng phân tử 3,5-bis-tert-butylbenzenediazonium (3,5-TBD). Các nhóm chức tert-butyl gắn trên các vị trí 3,5 của vòng benzen làm cho các gốc aryl tự do sau khi hình thành không tương tác với những phân tử đã cấy ghép mà ưu tiên tạo liên kết với bề mặt điện cực HOPG để tạo thành màng đơn lớp phân tử. Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết bài viết tại đây! | Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ Kỹ thuật vật liệu và luyện kim DOI 11 .44-47 Nghiên cứu chế tạo hệ vật liệu đơn lớp phân tử diazonium trên nền graphite bằng phương pháp cấy ghép điện hóa Phan Thanh Hải Lê Cảnh Định Hoàng Nhật Hiếu Nguyễn Thị Xuân Huynh Huỳnh Thị Miền Trung Lê Thị Ngọc Loan Trần Năm Trung Khoa Khoa học Tự nhiên Trường Đại học Quy Nhơn Ngày nhận bài 22 12 2021 ngày chuyển phản biện 27 12 2021 ngày nhận phản biện 17 1 2022 ngày chấp nhận đăng 21 1 2022 Tóm tắt Biến tính bề mặt bằng màng đơn lớp phân tử hữu cơ được xem là một trong những phương pháp hiệu quả để mở rộng khả năng ứng dụng của vật liệu carbon trong lĩnh vực cảm biến điện hóa. Các phân tử diazonium thường được sử dụng để biến tính bề mặt vật liệu như graphite và graphene thông qua sự hình thành liên kết hóa học C-C giữa chúng. Tuy nhiên khó khăn trong việc kiểm soát sự hình thành màng đơn lớp được xem là một trong những hạn chế của phương pháp này vì khả năng hoạt động hóa học rất mạnh của diazonium. Trong bài báo này các tác giả trình bày phương pháp biến tính bề mặt vật liệu graphite nhiệt phân định hướng HOPG - một loại vật liệu đa lớp của graphene bằng phân tử 3 5-bis-tert-butylbenzenediazonium 3 5-TBD . Các nhóm chức tert-butyl gắn trên các vị trí 3 5 của vòng benzen làm cho các gốc aryl tự do sau khi hình thành không tương tác với những phân tử đã cấy ghép mà ưu tiên tạo liên kết với bề mặt điện cực HOPG để tạo thành màng đơn lớp phân tử. Tính chất điện hóa và hình thái học bề mặt của hệ màng đơn lớp 3 5-TBD được khảo sát bằng phương pháp quét thế vòng tuần hoàn CV hiển vi lực nguyên tử AFM và hiển vi xuyên hầm lượng tử STM . Từ khóa biến tính bề mặt cấy ghép điện hóa đơn lớp phân tử graphene HOPG phân tử diazonium. Chỉ số phân loại Đặt vấn đề tối ưu. Đã có nhiều giải pháp được đề xuất nhằm hạn chế quá trình hình thành màng đa lớp của các phân tử diazonium như Vật liệu carbon đặc biệt là dẫn xuất dạng lớp của chúng - i Sử dụng các chất ức chế để ngăn cản các gốc