tailieunhanh - Advanced Microwave Circuits and Systems P10

Nhiều chương trình CAD hiện nay cho phép tạo ra các mô hình ba chiều để có thể nhìn từ mọi góc độ. Các chương trình CAD mô hình hóa vật thể đặc tiên tiến là một hệ thống thiết kế hiện thực ảo. Những mô hình đặc như vậy có thể được dùng làm cơ sở cho các phân tích phần tử hữu hạn (FEA) và / hoặc tính toán động lực dòng chảy (CFD) của thiết kế. Cho đến ứng dụng gia công với trợ giúp máy tính (CAM), những mô hình này cũng có thể được dùng. | 264 Advanced Microwave Circuits and Systems When semiconductor materials are used as the IPD s substrate an additional dielectric layer is needed to insulate the passive elements and the substrate and the inductors are favarourablly formed at the interconnection layer so as to separate the inductor from the substrate to reduce the eddy current loss in the semiconductor substrate. Electrical Thermal Mechanical E tan Ỗ 10-4 Resistivity cm CTE ppm K Thermal Conductivity W mK Flexural Strength MPa Young s Modulus GPa Quartz 1018 Up to100 74 Glass 10 1017 94 Up to 100 AI2O3 1 1015 38 660 39o HR-Si 12 10-50 1000-5000 150 2800 129-190 HR- GaAs 6 107-109 5 46 - - Table Commonly used materials for IPD substrate IPD Substrates The substrate materials usually used in IPD are list in Table . For high-frequency applications the substrates have to be selected to have low dielctric losses and low permitivity to reduce the RF power dissipation in the substrates and to increase the self-resonant-frequency. Glass fused quartz high-resistivity silicon and ceramics are usually used as IPD s substrate for RF applications. Glass and fused quartz have both a low dielectric constant and low dielectric tangent which makes them preferrable for achieving a high self-resonant frequency and reducing the eddy loss in the substarate which is asociated with the qualty factor of passive circuits. From the viewpoint of high-frewuency applications glass and fused quartz are the most suitable substarte materials. The semiconductor substrates are attractive for allowing active devices to be integrate with the passive circuit. For example combining ESD Protection and a low pass filter to attenuate the RF noise which may otherwise interere with the internal base band circuitry of a mobile phone Doyle L. 2005 . Normal semiconductor substrates used for IC fabrication have such a low resistivity ắ 50 Qcm as to be very lossy for RF signals as .