Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Mô phỏng đặc trưng dòng thể của transistor đơn điện tử sử dụng namo-VN2

Tác giả phát triển bộ mô phỏng cho linh kiện điện tử nano, Nemo-Vn2. Trong công trình này tác giả sử dụng bộ mô phỏng để nghiên cứu kỹ đặc tính của transistor đơn điện tử. Mô hình của transistor điện tử dựa trên phương pháp hàm grenn không cân bằng và được thực hiện bằng sử dụng giao diện đồ họa của người sử dụng matlab. Những đặc trưng dòng - thế như dòng thể máng - thể cống được nghiên cứu kỹ. Một số đặc trưng được mô phỏng bằng mô hình này đã được so sánh với những kết quả thực nghiệm của transistor đơn điện từ và cho kết quả khá phù hợp. | TẠP CHÍ PHÁT TRIỂN KH CN TẬP 15 sô T2- 2012 INTRODUCTION Rapid progress in microelectronics has pushed the MOSFET dimension toward the physical limit 10 nm . In the future it is probable that the nanoMOSFETs could be replaced by new fundamental devices such as single electron transistor SET . SETs have attracted much attention for IC applications because of their nano feature size ultra-low power dissipation high frequency new functionalities and CMOS compatible fabrication process. SET shows unique advantages in terms of low power consumption and of new characteristics related to its Coulomb oscillations and Coulomb blockade. Recently there are various groups achieving success in pursuing to build simulator for SET 1 2 . The Monte Carlo simulations e.g. SIMON 3 MOSES 41 and KOSEC 5 and SIMULATION OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SINGLE ELECTRON TRANSISTOR USING NEMO-VN2 Dinh Sy Hien University of Science VNU-HCM Manuscript Received on November 14 . 2011. Manuscript Revised September 11 2012 ABSTRACT We have developed a simulator for nanoelectronics devices NEMO-VN2. In this work we use the simulator to explore the performance of single electron transistor. The model is based on non-equilibrium Green function method and implemented by using graphic user interface of Matlab. The cur rent-volt age characteristics such as drain current-voltage drain current-gate voltage ones are explored. Some characteristics reproduced by the proposed model are compared with experimental results of single electron transistor and good agreements are validated. Keywords single electron transistor non-equilibrium Green function current-voltage characteristic Coulomb blockage Coulomb oscillation. master equation methods 6 7 that are quite accurate but also very time consuming and they are not simple. In contrast model used non-equilibrium Green function method NEGF 8 commonly used in the nanoscale devices and are superior in terms of simplicity. In this work we simulate .