Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Luận Văn - Báo Cáo
Báo cáo khoa học
Arapkina et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:218
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Arapkina et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:218
Quỳnh Dung
60
13
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Arapkina et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:218 http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/218 NANO EXPRESS Open Access Phase transition on the Si(001) clean surface prepared in UHV MBE chamber: a study by high-resolution STM and in situ RHEED Larisa V Arapkina*, Vladimir A Yuryev*, Kirill V Chizh, Vladimir M Shevlyuga, Mikhail S Storojevyh, Lyudmila A Krylova Abstract The Si(001) surface deoxidized by short annealing at T ~ 925°C in the ultrahigh vacuum molecuar beam epitaxy chamber has been in situ investigated using high-resolution scanning tunneling microscopy (STM)and redegreesected high-energy electron diffraction (RHEED. RHEED patterns corresponding to (2 × 1) and (4 × 4) structures were observed during sample treatment | Arapkina et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 218 http www.nanoscalereslett.eom content 6 1 218 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Phase transition on the Si 001 clean surface prepared in UHV MBE chamber a study by high-resolution STM and in situ RHEED Larisa V Arapkina Vladimir A Yuryev Kirill V Chizh Vladimir M Shevlyuga Mikhail S Storojevyh Lyudmila A Krylova Abstract The Si 001 surface deoxidized by short annealing at T 925 C in the ultrahigh vacuum molecuar beam epitaxy chamber has been in situ investigated using high-resolution scanning tunneling microscopy STM and redegreesected high-energy electron diffraction RHEED. RHEED patterns corresponding to 2 X 1 and 4 X 4 structures were observed during sample treatment. The 4 X 4 reconstruction arose at T ầ 600 C after annealing. The reconstruction was observed to be reversible the 4 X 4 structure turned into the 2 X 1 one at T ầ 600 C the 4 X 4 structure appeared again at recurring cooling. The c 8 X 8 reconstruction was revealed by STM at room temperature on the same samples. A fraction of the surface area covered by the c 8 X 8 structure decreased as the sample cooling rate was reduced. The 2 X 1 structure was observed on the surface free of the c 8 X 8 one. The c 8 X 8 structure has been evidenced to manifest itself as the 4 X 4 one in the RHEED patterns. A model of the c 8 X 8 structure formation has been built on the basis of the STM data. Origin of the high-order structure on the Si 001 surface and its connection with the epinucleation phenomenon are discussed. PACS 68.35.B--68.37.Ef-68.49.Jk-68.47.Fg Introduction Investigations of clean silicon surfaces prepared in conditions of actual technological chambers are of great interest due to the industrial requirements to operate on nanometer and subnanometer scales when designing future nanoelectronic devices 1 . In the nearest future the sizes of structural elements of such devices will be close to the dimensions
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Arapkina et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:218
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.