Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Tài Liệu Phổ Thông
Trung học phổ thông
Cơ sở vật lý hạt nhân part 9
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Cơ sở vật lý hạt nhân part 9
Thúy Minh
125
40
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'cơ sở vật lý hạt nhân part 9', tài liệu phổ thông, vật lý phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | và có dòng diện chạy qua lớp tiếp giáp. Nếu đặt điện áp phân cực ngược lại miền n nô i với cực dương còn miền p nối với cực âm như trên hình 7.10 ihì không có dòng điện qua lớp liếp giáp trữ dòng rò râl bé do sự chuyển động nhiệt của các electron và lỗ trống. Miền gần lớp liếp giáp không có các electron và lỗ trống do điện thê có phân cực nói trên. Miền này gọi là miền nghèo và là miền nhạy của detector bán dẫn. Khi một bức xạ đi qua miền nghèo này nó tạo nên các cặp electron - lỗ trống. Dưới tác dụng của điện trường cao thế các electron và lỗ trống chuyển động về các điên cực tao nên tín hiệu điện lối ra. 7.3.2. Các loại detector bán dẫn a. Detector tiếp giáp khuếch tán Phương pháp sản xuất phổ biến của detector bán dẩn loại diod là sử dụng tinh thể bán dẫn thuần nhất loại p và phủ trên bề mặt nó một lớp bán dẫn loại n chủ yếu là tạp chất phosphorus theo phương pháp khuếch tán hơi hình 7.11 . Bê dày của lớp bán dẫn loại n khoảng 0 1 đến 2 pm. Do lóp bán dẫn n là chất cho nên miền nghèo chủ yếu nằm ở phía chất bán dẫn p so vời lơp liếp giáp. Như vậy phần lớn bề mặt nằm ngoài miền nghèo và là lớp chết hay cửa sổ. Các tia bức xạ sẽ xuyên qua cửa sổ để vào miền nghèo của detector bán dẫn. Sự có mặt của lớp chết là nhược điểm của detector tiếp giáp khuếch tán vì bức xạ mất một phần năng lượng khi đat đến miền nghèo. Bức xạ vào Cửa sổ Hình 7.77. Detector tiếp giáp khuếch lán. b Detector hàng rào bề mặt Trong detector hàng rào bề mặt một lớp vàng rất mỏng được phủ lên bồ mặt của chất bán dẫn loại n bằng phương pháp bay hơi hình 7.12 . Quá trình bay hơi được thực hiện trong điều kiện sao cho có một lớp oxy hóa 321 Z1 csvlhn nhẹ trên bề mặt Lớp oxy hóa này nằm giữa lớp vàng và silicon đóng vai trò vật liệu loại p gọi là lớp hàng rào bề mặt. Khi đó miền nghèo cũng được hình thành như trong detector tiếp giáp khuếch tán. Lớp vàng mỏng được dùng làm lớp tiếp xúc điện để lấy tín hiệu ra. Cũng có thể chế tạo detector hàng rào be mặt trên cơ sở chất bán dẫn loại p bằng cách .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Cơ sở vật lý hạt nhân part 1
Cơ sở vật lý hạt nhân part 2
Cơ sở vật lý hạt nhân part 3
Cơ sở vật lý hạt nhân part 4
Cơ sở vật lý hạt nhân part 5
Cơ sở vật lý hạt nhân part 6
Cơ sở vật lý hạt nhân part 7
Cơ sở vật lý hạt nhân part 8
Cơ sở vật lý hạt nhân part 9
Cơ sở vật lý hạt nhân part 10
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.