Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Luận Văn - Báo Cáo
Báo cáo khoa học
Báo cáo vật lý: "EFFECTS OF Si, Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER"
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Báo cáo vật lý: "EFFECTS OF Si, Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER"
Thu Nga
56
9
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Tuyển tập các báo cáo nghiên cứu khoa học trên tạp chí khoa học vật lý quốc tế đề tài: EFFECTS OF Si, Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER | Journal of Physical Science Vol. 17 2 151-159 2006 151 EFFECTS OF Si Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE characteristics of DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER N.M. Ahmed M.R. Hashim and Z. Hassan School of Physics Universiti Sains Malaysia 11800 USM Pulau Pinang Malaysia Corresponding author nas_tiji@yahoo.com Abstract Films of AlGaN and GaN are used as a Distributed Bragg Reflector DBR mirror for light emitting diode LED and vertical-cavity surface-emitting laser VCSEL type of laser. In this paper we report the influence of different substrates on the reflectivity of DBR structure by using three different substrates sapphire silicon carbide and silicon. The DBR structure and optical properties of the films have been studied using the transfer matrix method TMM . Better characteristics are obtained when Si substrates are used as compared to conventional Al2O3 substrates. This suggests that Si is a very promising substrate for GaN-based DBR mirror for blue laser diodes. Keywords DBR structure VCSEL TMM 1. INTRODUCTION III-V nitride semiconductors offer a wide range of applications due to their wide direct band gap which is not found in conventional semiconductors. The current semiconductor technology covers only the region between infrared to green 1 . The band gap of GaN at room temperature is 3.4 eV corresponding to a wavelength of 365 nm in the ultraviolet region and that of InN AlN are 1.9 and 6.2 eV respectively. Technology-based semiconductors like GaAs cannot reach such shorter wavelengths and it is this property of III-V nitrides which makes them significant for optoelectronic applications like laser diodes 2 . The group III nitrides are promising materials for optoelectronic devices high temperature electronics and cold cathodes because of their large band gap high thermal stability high saturation velocity and excellent physical properties. There are two main problems related to In Ga Al N epitaxial layer growth. First it is difficult in achieving useful .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Báo cáo mẫu thực hành Vật lý đại cương 1
Báo cáo mẫu thực hành Vật lý đại cương 2
Giáo án Vật lý 12 nâng cao - Đoàn Văn Doanh
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "Một số giải pháp nâng cao chất lượng bài thí nghiệm “Tổng hợp dao động của con lắc kép” "
Mẫu báo cáo thực hành thí nghiệm Vật lý lớp 10
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "Tính dẹt của mặt đối chiều hai spacelike trong ln+1"
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "Tán xạ raman cưỡng bức trong gần đúng ba chiều"
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "ảnh hưởng của điều biến các đặc trưng của xung tín hiệu RZ trong hoạt động của laser DFB hai ngăn"
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "Về tính ổn định mũ bình phương trung bình của một lớp hệ vi phân ngẫu nhiên có bước nhảy Markov"
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "Vành các tự đồng cấu của môđun giả nội xạ và môđun giả xạ ảnh"
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.