Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Mạch tạo điện áp tham chiếu ổn định đạt được 6.8 ppm/oC trên công nghệ CMOS 180 nm

Bài viết Mạch tạo điện áp tham chiếu ổn định đạt được 6.8 ppm/oC trên công nghệ CMOS 180 nm trình bày về thiết kế mạch tạo điện áp tham chiếu ổn định (Bandgap Voltage Reference: BGR) không phụ thuộc vào sự thay đổi của quy trình công nghệ, nhiệt độ và điện áp nguồn cung cấp (Process, Temperature, Voltage: PVT) ứng dụng cho các mạch điện tử yêu cầu điện áp tham chiếu có độ chính xác cao tích hợp trên chip. | TNU Journal of Science and Technology 227 11 187 - 195 A 6.8 ppm oC BANDGAP VOLTAGE REFERENCE IN 180 nm CMOS PROCESS Nguyen Thi Thao1 Nguyen Huu Tho2 1 Academy of Military Science and Technology 2 Le Quy Don Technical University ARTICLE INFO ABSTRACT Received 04 8 2022 This paper presents the design of a bandgap voltage reference BGR circuit independent on process temperature and voltage PVT for Revised 19 8 2022 electronic circuits that require a high precision reference voltage Published 19 8 2022 integrated on the chip. The proposed BGR circuit achieves low temperature coefficient TC by combining an operational amplifier KEYWORDS OPA with high gain and output voltage trimming technique. In addition the OPA circuit is designed including inside bias circuit thus Bandgap Voltage Reference increasing the ability to integrate on the chip. The proposed BGR BGR circuit is implemented in a 180 nm CMOS process. The simulation Low Temperature Coefficient results illustrate that the BGR generates a stable reference voltage of 0.6 V and a power consumption of 54.36 µW with a supply voltage of Line Regulation 1.8 V. The average temperature coefficient achieved is 6.8 ppm oC for Power Supply Ripple Rejection the wide temperature range from -40oC to 125oC and the line regulation Output Voltage Trimming performance is 0.12 V. The power supply rejection ratio at 1 kHz 100 kHz and 10 MHz are 51.3 dB 32.4 dB and 20.1 dB respectively. MẠCH TẠO ĐIỆN ÁP THAM CHIẾU ỔN ĐỊNH ĐẠT ĐƯỢC 6.8 ppm oC TRÊN CÔNG NGHỆ CMOS 180 nm Nguyễn Thị Thảo1 Nguyễn Hữu Thọ2 1 Viện Khoa học và Công nghệ Quân sự 2 Học viện Kỹ thuật Quân sự THÔNG TIN BÀI BÁO TÓM TẮT Ngày nhận bài 04 8 2022 Bài báo này trình bày về thiết kế mạch tạo điện áp tham chiếu ổn định Bandgap Voltage Reference BGR không phụ thuộc vào sự thay đổi của Ngày hoàn thiện 19 8 2022 quy trình công nghệ nhiệt độ và điện áp nguồn cung cấp Process Ngày đăng 19 8 2022 Temperature Voltage PVT ứng dụng cho các mạch điện tử yêu cầu điện áp tham chiếu