Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ

Bài viết trình bày mẫu bán dẫn 6H-SiC loại n được chiếu xã bởi chùm điện tử có năng lượng 2.5 MeV; đường quá độ quang điện dung được đo trên lớp chuyển P+-n H-SiC ở các nhiệt độ khác nhau, từ các đường độ tiến hành tính tốc độ phát xạ quang và tiến diện ion hóa quang. | Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Báo cáo tổng kết đề tài: Nghiên cứu kỹ thuật trồng sa nhân tím (amomum longiligulare T. L. WU) trên đất sau nương rẫy thuộc vùng đệm Vườn quốc gia Tam Đảo, tại một số xã ở huyện Đại Từ, tỉnh Thái Nguyên

Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

Nhận thức xã hội về thực hành tín ngưỡng thờ Mẫu Tam phủ sau hai năm được UNESCO ghi danh nhìn từ các nghiên cứu khoa học trong nước

Bài giảng Phương pháp nghiên cứu trong kinh doanh: Chương 4 - ThS. Nguyễn TIến Dũng

Báo cáo "Khái quát về chế định giám đốc thẩm trong luật tố tụng hình sự Việt Nam từ sau Cách mạng tháng tám năm 1945 đến nay "

Khảo sát giá trị troponin I và CK-MB trong tầm soát nhồi máu cơ tim cấp sau phẫu thuật ngoài tim

Một vài nhận xét ban đầu trong việc theo dõi độ sâu gây mê trong phẫu thuật tim hở với bis spectral

Kết quả ứng dụng máy dò thần kinh (NIM) trong phẫu thuật nội soi u tuyến giáp đường tiền đình miệng tại Bệnh viện Đại học Y Hà Nội

Đánh giá độ an toàn và hiệu quả của phác đồ fec docetaxel trong điều trị hỗ trợ ung thư vú sau phẫu thuật tại Trung tâm Ung bướu Chợ Rẫy

Luận án Tiến sĩ Lâm nghiệp: Nghiên cứu một số cơ sở khoa học trồng rừng thâm canh bạch đàn chu kỳ sau ở vùng Trung tâm Bắc Bộ
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.