tailieunhanh - Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

Bài viết trình bày mẫu bán dẫn 6H-SiC loại n được chiếu xã bởi chùm điện tử có năng lượng MeV; đường quá độ quang điện dung được đo trên lớp chuyển P+-n H-SiC ở các nhiệt độ khác nhau, từ các đường độ tiến hành tính tốc độ phát xạ quang và tiến diện ion hóa quang. | Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.