tailieunhanh - Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

Bài viết trình bày mẫu bán dẫn 6H-SiC loại n được chiếu xã bởi chùm điện tử có năng lượng MeV; đường quá độ quang điện dung được đo trên lớp chuyển P+-n H-SiC ở các nhiệt độ khác nhau, từ các đường độ tiến hành tính tốc độ phát xạ quang và tiến diện ion hóa quang. | Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SiC bằng phương pháp phổ quang điện dung

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN