Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Đi ốt

Thông thường Bán Dẩn Điện dẩn điện kém nhưng nếu pha trộn với Tạp Chất sẻ trở thành Bán Dẩn Điện có Phân Cực rỏ ràng nên dể dẩn điện hơn Bán Dẩn Điện thường. Nếu trộn Bán Dẩn Điện Si Li Con (Si) hay Chờ Má Nhiềm (Ge) có 4 điện tử trên quỷ đạo ngoài cùng với Tạp chất có 5 điện tử ngoài cùng . | Đi ốt Khái Niệm Thông thường Bán Dẩn Điện dẩn điện kém nhưng nếu pha trộn với Tạp Chất sẻ trở thành Bán Dẩn Điện có Phân Cực rỏ ràng nên dể dẩn điện hơn Bán Dẩn Điện thường. Nếu trộn Bán Dẩn Điện Si Li Con Si hay Chờ Má Nhiềm Ge có 4 điện tử trên quỷ đạo ngoài cùng với Tạp chất có 5 điện tử ngoài cùng . Bán Dẩn Điện sẻ có dư một điện tử trở thành Bán Dẩn Điện Âm có ký hiệu N Ge 5e -- Ge - Si 5e -- Si - Nếu trộn Bán Dẩn Điện Si Li Con Si hay Chờ Má Nhiềm Ge có 4 điện tử trên quỷ đạo ngoài cùng với Tạp chất có 3 điện tử ngoài cùng . Bán Dẩn Điện sẻ thiếu một điện tử trở thành Bán Dẩn Điện Dương có ký hiệu P Ge 3e -- Ge Si 3e -- Si Cấu Tạo Thể Loại Đai Ốt Biểu Tượng P---0 Hình I - V Đo Dòng Điện và Điện Thế trên Đai ôt cho một hình I - V Breakdown region PIV Reverse current 3O 1A Note The reverse current shown is typical of type ỈN400Ỉ. For other types refer to the respective datasheet. Image not to scale. ON voltage 0.65V for Si 0.2V for Ge Forward bias Reverse bias Quan sát hình I - V ta thấy Không có Dòng Điện với mọi giá trị Điện Thế nhỏ hơn Điện Thế Dẩn của Đai ôt . Ở Điện Thế Dẩn 0.3v Si 0.6v Ge Dòng điện bằng 1 mA . Đai ốt bắt đầu dẩn điện Ở Điện Thế lớn hơn Điện Thế Dẩn . Dòng điện tăng theo cấp số mủ của e với thay đổi điện thế Ts l-e VD nVr I Dòng Điện Đai Ốt IS Dòng điện nghịch cao nhứt VD Điện thế Đai Ốt VT Điện thế Nhiệt n chỉ số dẩn bằng 1 hay 2 tùy theo loại bán dẩn điện dùng . Thông thường Si và Ge được dùng nhiều trong việc chế tạo Bán dẩn điện . n 1 Ge n 2 Si Điện Nhiệt gần bằng 25.85 mV at 300 K hay tại Nhiệt độ phòng . Tại Nhiệt độ T kT q Điện tích k Hằng số Boltzmann s constant T Nhiệt độ tuyệt đối tại vùng biên .