Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Cơ khí - Chế tạo máy
Organic Light Emitting Diode Part 10
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Organic Light Emitting Diode Part 10
Mỹ Dung
90
20
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'organic light emitting diode part 10', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | a-Si H TFT and Pixel Structure for AMOLED on a Flexible Metal Substrate 173 Fig. 22. Fabrication process flow of a newly proposed normal top-emission OLED pixel employing cathode-contact structure a a-Si H TFT b reflective anode c step-covering layer and separator d organic layer evaporation through the shadow mask on the anode e cathode evaporation. Fig. 23. SEM image of fabricated cathode-contact type OLED pixel b Cross section of contact area 174 Organic Light Emitting Diode 5.3 Electro-optic characteristics To investigate the pixel performances of the CCTOLED and ACTOLED cells employing the same TFT and TOLED we designed and fabricated a unit cell having an emitting area of 1x1 mm2. The off current of TFT was about 10-9 A. The on current at a gate voltage of 20 V was about 10-3 A at a drain voltage of 10 V resulting in an on-off current ratio of 106. We obtained a subthreshold slope of approximately 0.74 V decade demonstrating a sharp device turn-on. The threshold voltage and the saturation mobility were 1.8 V and 0.34 cm2 Vs respectively. Fig. 24 shows the current of the OLED IOLED as a function of the VDATA. When the VSS was grounded the ACTOLED showed lower IOLED as compared with the CCTOLED. The IOLED of the ACTOLED and the CCTOLED at Vdata 14 V and Vdd 27 V were 1.2 x 10-4 A and 9.5 x 10-4 A respectively. 1.0 0.8 - o ACTOLED V 16 V V -11 V DD ss CCTOLED V 27 V V 0 V DD ss ACTOLED V 27 V V 0 V Fig. 24. Current of the OLED as a function of VDATA compared between the ACTOLED and the CCTOLED In the case of the ACTOLED the effective gate voltage VGE of the driving TFT decreased which was defined as the difference of the VDATA and the source voltage of the driving TFT Vs as shown in Fig. 21. The lower current of the ACTOLED was attributed to this lowered-VGE. As a result the ACTOLED was inappropriate for a high luminance display when the Vss was grounded. When a negative voltage was supplied at the Vss in order to increase the current value in the ACTOLED as .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.