Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Luận Văn - Báo Cáo
Báo cáo khoa học
Báo cáo hóa học: " Dielectric Relaxation of La-Doped Zirconia Caused by Annealing Ambient"
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Báo cáo hóa học: " Dielectric Relaxation of La-Doped Zirconia Caused by Annealing Ambient"
Việt Chính
45
6
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Dielectric Relaxation of La-Doped Zirconia Caused by Annealing Ambient | Zhao et al. Nanoscale Res Lett 2011 6 48 http www.nanoscalereslett.eom content 6 1 48 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Dielectric Relaxation of La-Doped Zirconia Caused by Annealing Ambient f z 7 h o Cl1 2 2 3 2 3 4 1 2 CZ Zhao M weinei S layloi PR Chdlkei AC Junes unun Zhao Abstract La-doped zirconia films deposited by ALD dt 300 C were found to be amorphous with dielectric constants k-vdlues up to 19. A tetragonal or cubic phase was induced by post-deposition annealing PDA dt 900 C in both nitrogen and air. Higher k-values 32 were measured following PDA in air but not after PDA in nitrogen. However a significant dielectric relaxation was observed in the air-annealed film and this is attributed to the formation of nano-crystallites. The relaxation behavior was modeled using the Curie-von Schweidler CS and Havriliak-Negami HN relationships. The k-value of the as-deposited films clearly shows a mixed CS and HN dependence on frequency. The CS dependence vanished after annealing in air while the HN dependence disappeared after annealing in nitrogen. Introduction Amorphous ZrO2 is one of the most promising dielectrics dielectric constant k-value 20 to replace SiO2 in MOSFETs at the 45-nm node CMOS technologies. Due to the aggressive down-scaling of MOSFET higher dielectric constant materials and higher mobility semiconductors other than silicon are introduced 1-11 . Germanium is considered to be a good candidate to replace silicon in the channel of next-generation high-performance CMOS devices while rare earth oxides belonging to another class of materials offer good passivation of germanium to reduce the density of interface states as it has recently been suggested 5 7 10 . On the other hand theoretical studies have reported that the metastable tetragonal and cubic phases t- and c-phases of ZrO2 have higher k-values 12 13 . The addition of rare earth elements such as La Gd Dy or Er is reported to stabilize these phases and .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Báo cáo hóa học: " Dielectric Relaxation of La-Doped Zirconia Caused by Annealing Ambient"
Báo cáo hóa học: " Fluorescence Quenching of Alpha-Fetoprotein by Gold Nanoparticles: Effect of Dielectric Shell on Non-Radiative Decay"
báo cáo hóa học:" Influences of phase transition and microstructure on dielectric properties of Bi0.5Na0.5Zr1-xTixO3 ceramics"
báo cáo hóa học:" Improvement in dielectric and mechanical performance of CaCu3.1Ti4O12.1 by addition of Al2O3 nanoparticles"
Báo cáo hóa học: " Sensitivity of Dielectric Properties to Wear Process on Carbon Nanofiber/High-Density Polyethylene Composites"
Báo cáo hóa học: " Research Article Electroelastic Wave Scattering in a Cracked Dielectric Polymer under a Uniform Electric Field"
Báo cáo hóa học: " Developing the dielectric mechanisms of polyetherimide/multi-walled carbon "
Báo cáo hóa học: " Characterization upon electrical hysteresis and thermal diffusion of TiAl3Ox dielectric film"
Báo cáo hóa học: " Influences of phase transition and microstructure on dielectric properties of Bi0.5Na0.5Zr1-xTixO3 ceramics"
Báo cáo hóa học: " Improvement in dielectric and mechanical performance of CaCu3.1Ti4O12.1 by addition of Al2O3 nanoparticles"
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.