Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Mục tiêu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN" là nghiên cứu mật độ hấp thụ tích hợp của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN ứng với cơ chế tán xạ nhám bề mặt phân cực, có tính đến ảnh hưởng của tất cả các nguồn giam giữ có thể. |