Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Lecture Electronic materials - Chapter 23: Metal oxide capacitors

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ

Lecture Electronic materials - Chapter 23: Metal oxide capacitors provide students with knowledge about the capacitor itself forms the basis of digital logic circuits, and DRAM storage units (storing charge) or can simply supply a capacitance for an analog integrated circuit. It will also be the building block for the most common transistor produced – the MOS transistor. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Lecture Electronic materials - Chapter 1: Introduction to electronic materials

Lecture Electronic materials - Chapter 2: Unit cells and miller indexes

Lecture Electronic materials - Chapter 3: Bonding model and dopants

Lecture Electronic materials - Chapter 4: Density of states and fermi energy concepts

Lecture Electronic materials - Chapter 5: Carrier concentrations in equilibrium

Lecture Electronic materials - Chapter 6: Partial ionization, intrinsic energy and parameter relationships

Lecture Electronic materials - Chapter 7: Drift and diffusion currents

Lecture Electronic materials - Chapter 8: Equations of state, equilibrium and einstein relationships and generation/recombination

Lecture Electronic materials - Chapter 9: Photogeneration, absorption, and nonequilibrium

Lecture Electronic materials - Chapter 10: Equations of state, minority carrier diffusion equation and quasi-fermi levels
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.