Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Luận Văn - Báo Cáo
Thạc sĩ - Tiến sĩ - Cao học
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic
Ðông Tuyền
61
132
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Đề tài nghiên cứu của luận án trong phạm vi lý thuyết về pha tạp và khuếch trong vật liệu bán dẫn với các mục tiêu chính là: Nghiên cứu tổng quan lý thuyết và thực nghiệm về khuếch tán đơn, khuếch tán đa thành phần trong vật liệu bán dẫn Si và một số hiện tượng khuếch tán dị thường trong quá trình khuếch tán tạp chất trong Si . Mời các bạn cùng tham khảo. | ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN VŨ BÁ DŨNG NGHIÊN CỨU KHUẾCH TÁN ĐỒNG THỜI TẠP CHẤT VÀ SAI HỎNG ĐIỂM TRONG SILIC LUẬN ÁN TIẾN SỸ VẬT LÝ HÀ NỘI - 2011 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN VŨ BÁ DŨNG 1 NGHIÊN CỨU KHUẾCH TÁN ĐỒNG THỜI TẠP CHẤT VÀ SAI HỎNG ĐIỂM TRONG SILIC Chuyên ngành Vật lý chất rắn Mã số 62 44 07 01 LUẬN ÁN TIẾN SỸ VẬT LÝ Ngƣời hƣớng dẫn khoa học 1. PGS. TS. Nguyễn Ngọc Long 2. GS. TSKH. Đào Khắc An HÀ NỘI 2011 2 MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN . 1 LỜI CẢM ƠN . 2 MỤC LỤC . 3 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT . 6 DANH MỤC CÁC BẢNG SỐ LIỆU . 6 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ . 6 MỞ ĐẦU . 8 Chƣơng I. MỘT SỐ VẤN ĐỀ TỔNG QUAN . 11 1.1. Vật liệu bán dẫn silic .11 1.1.1. Một vài tính chất cơ bản của vậtt liệu bán dẫn silic .12 1.1.2. Sai hỏng điểm trong vật liệu bán dẫn Si .13 1.1.3. Tự khuếch tán trong vật liệu bán dẫn Si .14 1.2. Khuếch tán tạp chất trong vật liệu bán dẫn Si .15 1.2.1. Cơ chế khuếch tán tạp chất trong Si .20 1.2.2. Khuếch tán B trong Si .21 1.2.3. Sai hỏng điểm sinh ra do khuếch tán tạp chất trong Si .29 1.3. Hệ số khuếch tán phụ thuộc vào nồng độ và căng mạng .23 1.3.1. Mô hình khuếch tán của S. Hu .23 1.3.2. Mô hình khuếch tán của N. Thai .23 1.3.3. Mô hình khuếch tán của ĐK. An .24 1.4. Những kết quả thực nghiệm về khuếch tán tạp chất và sai hỏng .25 1.5. Định luật Fick và định luật Onsager .27 1.5.1. Mật độ dòng khuếch tán .27 1.5.2. Định luật Fick .28 1.5.3. Định luật lực tổng quát và định luật Onsager .28 1.5.4. Những mâu thuẫn của định luật Fick và định luật Onsager .38 1.5.5. Thảo luận .29 1.6. Khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si .38 1.6.1. Mật độ dòng khuếch tán theo lý thuyết Onsager .29 1.6.2. Mật độ dòng khuếch tán đồng thời của B I và V .31 KẾT LUẬN CHƢƠNG I .33 1 Chƣơng II. SỰ TƢƠNG THÍCH GIỮA ĐỊNH LUẬT ONSAGER VÀ ĐỊNH LUẬT FICK . 34 2.1. Dòng tuyệt đối và dòng thực.34 2.2. Các định luật khuếch tán tuyến tính .36 2.3. Định luật lực tổng quát phi tuyến .36 2.4. Định luật định
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Dự thảo Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý: Một số quá trình tương tác giữa các hạt mới trong các mô hình chuẩn mở rộng
Tóm tắt dự thảo Luận án Tiến sĩ Vật lý: Chế tạo, nghiên cứu vật liệu ZnO thích hợp cho bức xạ Microlaser
Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu chuyển pha gom cụm của các loài sinh vật bằng các mô hình vật lý thống kê
Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu tổng hợp, tính chất của vật liệu TiO2 đơn pha và ứng dụng trong chế tạo nanocomposite PPy/TiO2
(Dự thảo) Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu các nguyên nhân gây biền thiên hàng ngày đối với sự phát triển của Spread F xích đạo
Dự thảo tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu động học quá trình lắng đọng lớp hấp thụ của pin mặt trời màng mỏng CIGS trong phương pháp điện hóa (electrodeposition)
Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu, xây dựng hệ thiết bị thu nhận và xử lý số liệu dựa trên kỹ thuật DPS qua ứng dụng FPGA phục vụ nghiên cứu vật lý
Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu cấu trúc và sự không đồng nhất động học trong vật liệu Silicát ba nguyên PbO.SiO2, Al2O3.2SiO2 và Na2O.2SiO2 ở trạng thái lỏng và vô định hình
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu, xây dựng hệ thiết bị thu nhận và xử lý số liệu dựa trên kỹ thuật SDP qua ứng dụng FPGA phục vụ nghiên cứu vật lý hạt nhân thực nghiệm
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Chế tạo vật liệu quang xúc tác TiO2 biến tính (TiO2:V, TiO2:N và TiO2-CNTs) và nghiên cứu một số tính chất của chúng
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.