Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Mô phỏng đặc trưng dòng điện - điện thế và quy trình chế tạo transistor đơn điện tử (SET)
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Trong bài viết này, tác giả đã sử dụng hàm Green không cân bằng để tính toán hàm truyền, mô phỏng đặc trưng dòng - thế của SET, chương trình mô phỏng được viết sử dụng GUI trong Matlab và dùng phần mềm Intellisuite để thiết kế một quy trình chế tạo SET. | Mô phỏng đặc trưng dòng điện - điện thế và quy trình chế tạo transistor đơn điện tử SET Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 39 12 2016 12 Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh MÔ PHỎNG ĐẶC TRƯNG DÒNG ĐIỆN- ĐIỆN THẾ VÀ QUY TRÌNH CHẾ TẠO TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ SET THE SIMULATION OF CURRENT - VOLTAGE CHARACTERISTICS AND FABRICATION PROCESS FOR SINGLE ELECTRON TRANSISTOR SET Lê Hoàng Minh Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh Ngày tòa soạn nhận bài 12 8 2016 ngày phản biện đánh giá 26 9 2016 ngày chấp nhận đăng 28 10 2016 TÓM TẮT Tính toán và mô phỏng SET là bước đầu để xác định các thông số cần thiết cho một cấu trúc SET và cũng là bước quan trọng để phục vụ cho quá trình chế tạo. Cấu trúc SET phải đáp ứng được các yêu cầu về dòng điện và điện thế phù hợp. Điều đó cho thấy rằng việc mô phỏng cần phải được đầu tư đúng mức để thuận lợi hơn trong quá trình chế tạo tiết kiệm được nguyên vật liệu để có thể sản xuất những sản phẩm có giá trị thực tiễn cao sản xuất sản phẩm thương mại có giá trị. Trong bài báo này tác giả đã sử dụng hàm Green không cân bằng để tính toán hàm truyền mô phỏng đặc trưng dòng - thế của SET chương trình mô phỏng được viết sử dụng GUI trong Matlab và dùng phần mềm Intellisuite để thiết kế một quy trình chế tạo SET. Từ khóa Transistor đơn điện tử đặc trưng dòng thế hàm truyền hàm Green không cân bằng quá trình chế tạo. ABSTRACT Calculation and simulation of SET Single Electron Transistor are the first steps to determine necessary parameters for a SET structure and also very important before the fabrication process. Structure of SET has to satisfy criteria about the suitable current and voltage. Accordingly simulation of SET structure takes a key-role and must be invested fully in order to support the fabrication more advantageously save materials significantly produce highly practical products having commercial value. In this research the authors used non-equilibrium Green s function method to computer transport .