Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Investigation of charge traps at al-doped HfO2/(100)InGaAs interface by using capacitance and conductance methods

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ

In this study, capacitance and conductance methods were used to investigate the charge traps at a HfO2/(100)InGaAs interface with an atomic layer deposition HfO2 layer doped with Al2O3 by co-deposition technique. The effect of Al doping on the quality of the HfO2/In0.53Ga0.47As interface will be evaluated. The density of interface traps (Dit) near In0.53Ga0.47As midgap is close to 2×1012 cm−2eV−1. | Investigation of charge traps at al-doped HfO2/(100)InGaAs interface by using capacitance and conductance methods

crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.