Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Điện - Điện tử
Lecture Electrical Engineering: Lecture 19 - Dr. Nasim Zafar
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Lecture Electrical Engineering: Lecture 19 - Dr. Nasim Zafar
Quang Dương
112
49
pptx
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
The main contents of the chapter consist of the following: Base-biased (fixed bias) transistor circuits, voltage-divider-bias transistor circuits, examples and exercises. | Dr. Nasim Zafar Electronics 1 - EEE 231 Fall Semester – 2012 COMSATS Institute of Information Technology Virtual campus Islamabad Potential-Divider-Biasing Circuits: Examples and Exercises. . Lecture No: 19 Contents: Base-Biased (Fixed Bias) Transistor Circuits. Voltage-Divider-Bias transistor Circuits. Examples and Exercises. Nasim Zafar 2 References: Microelectronic Circuits: Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith. Integrated Electronics : Jacob Millman and Christos Halkias (McGraw-Hill). Introductory Electronic Devices and Circuits Robert T. Paynter Electronic Devices : Thomas L. Floyd ( Prentice Hall ). Nasim Zafar 3 Basic Circuits of BJT: NPN Transistor Nasim Zafar 4 IE = IC + IB Transistor Output Characteristics: 5 Nasim Zafar 5 Fig 5-2a & Fig 5-4 Transistor Output Characteristics: Load Line – Biasing and Stability: Active region: BJT acts as a signal amplifier. B-E junction is forward biased and C-B junction is reverse biased. Graphical construction for determining the dc collector current IC and the collector-to-emitter voltage VCE . The requirement is to set the Q-point such that that it does not go into the saturation or cutoff regions when an a ac signal is applied. Maximum signal swing depends on the bias voltage. Nasim Zafar 6 The DC Operating Point: Biasing and Stability Active region - Amplifier: BJT acts as a Signal Amplifier. 1. B-E Junction Forward Biased VBE ≈ 0.7 V for Si 2. B-C Junction Reverse Biased 3. KCL: IE = IC + IB C B E IB IE IC C B E IB IE IC 7 Nasim Zafar The DC Operating Point: Biasing and Stability Slope of the Load Line: VCC = VCE + VRC VCE = VCC - VRC VCE = VCC - IC RC 8 Nasim Zafar 9 Current Equations in a BJT: NPN Transistor Collector Current Base Current Emitter Current 9 Nasim Zafar 1. Fixed-Biased Transistor Circuits. Base-Biased (Fixed Bias) Transistor Circuit: Single Power Supply 10 Nasim Zafar 11 Base-Biased (Fixed Bias) Transistor Circuit: Advantage: Circuit simplicity. Disadvantage: Q-point | Dr. Nasim Zafar Electronics 1 - EEE 231 Fall Semester – 2012 COMSATS Institute of Information Technology Virtual campus Islamabad Potential-Divider-Biasing Circuits: Examples and Exercises. . Lecture No: 19 Contents: Base-Biased (Fixed Bias) Transistor Circuits. Voltage-Divider-Bias transistor Circuits. Examples and Exercises. Nasim Zafar 2 References: Microelectronic Circuits: Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith. Integrated Electronics : Jacob Millman and Christos Halkias (McGraw-Hill). Introductory Electronic Devices and Circuits Robert T. Paynter Electronic Devices : Thomas L. Floyd ( Prentice Hall ). Nasim Zafar 3 Basic Circuits of BJT: NPN Transistor Nasim Zafar 4 IE = IC + IB Transistor Output Characteristics: 5 Nasim Zafar 5 Fig 5-2a & Fig 5-4 Transistor Output Characteristics: Load Line – Biasing and Stability: Active region: BJT acts as a signal amplifier. B-E junction is forward biased and C-B junction is reverse biased. Graphical construction for .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Lecture Electrical Engineering: Lecture 17 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 18 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 19 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 20 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 21 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 22 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 23 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 24 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 25 - Dr. Nasim Zafar
Lecture Electrical Engineering: Lecture 26 - Dr. Nasim Zafar
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.