Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Khoa Học Tự Nhiên
Hoá học
Deposition of high-electron-mobility transparent conducting aluminum-doped zinc oxide thin films by dc magnetron sputtering
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Deposition of high-electron-mobility transparent conducting aluminum-doped zinc oxide thin films by dc magnetron sputtering
Thiên Ân
81
8
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Transparent conducting Al-doped ZnO (AZO) thin films were deposited on glass substrates by DC magnetron sputtering from AZO ceramic target (0.75 %wt Al2O3) in gas mixture of (Ar + H2) at different substrate temperatures. | Journal of Science and Technology 54 (1A) (2016) 160-167 DEPOSITION OF HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSPARENT CONDUCTING ALUMINUM-DOPED ZINC OXIDE THIN FILMS BY DC MAGNETRON SPUTTERING Hoang Van Dung*, Nguyen Duy Khanh, Tran Cao Vinh Laboratory of Advanced Materials – VNUHCM-University of Science, 227 Nguyen Van Cu, Ho Chi Minh City, Viet Nam. * Email: hvdung@hcmus.edu.vn Received: 6 September 2015; Accepted for publication: 26 October 2015 ABSTRACT Transparent conducting Al-doped ZnO (AZO) thin films were deposited on glass substrates by DC magnetron sputtering from AZO ceramic target (0.75 %wt Al 2O3) in gas mixture of (Ar + H2) at different substrate temperatures. At value of 1.7 % of ratio of H2 to (H2+Ar) and at substrate temperature of 200 oC, electron mobility in obtained AZO films is 60.2 cm2.V-1.s-1, which is much larger than 34.6 cm2.V-1.s-1 of films fabricated in the same condition without H2. AZO films also have a low resistivity of 2.53×10-4 Ω.cm, low sheet resistance of 2.5 Ω/□ and high average transmittance above 80 % in the wavelength range of 400 – 1100 nm. Keywords: transparent conducting; AZO thin films; DC magnetron sputtering; high electron mobility. 1. INTRODUCTION Transparent conducting oxide (TCO) thin films are widely used for opto-electronic device applications, such as solar cells, light emitting diodes, flat panel displays, and low emissivity windows [1 – 3]. At present, Indium tin oxide (ITO) thin films are popularly used as TCOs in opto-electronic devices. However, a shortage of indium may occur in the near future because of the limited nature of world indium reserves. Therefore, it is important to find other materials to replace indium. ZnO is one of the best choices because of its n-type wide bandgap andof its abundance in nature about ~1019 metric tons [4] led to the low prices. Undoped ZnO thin films have high transmittance in visible and near infrared wavelength regions, but the electrical resistivity is relatively high. For the .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Modeling the deposition of bioaerosols with variable size and shape in the human respiratory tract – A review
Direct synthesis of MoS2 nanodots by chemical vapor deposition
Simultaneous effect of pH, deposition time, deposition potential, and step potential on the stripping peak current of lead and cadmium by response surface methodology
Effects of breakwater on deposition-erosion process in access channel of Dung Quat thermal power plant
Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 12: Physical vapor deposition
Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 13&14: Thin film deposition and epitaxy (Chemical vapor deposition, metal organic CVD and molecular beam epitaxy)
Study on the deposition of amorphous silicon and ito thin films for heterojunction solar cell application
Analysis of trace element atmospheric deposition by barbula indica moss at Baoloc using the total reflection X ray fluorescence technique
Deposition velocities of some natural radionuclides from the atmosphere at Ninh Thuan and Dong Nai of Vietnam
Effect of the chemical vapor deposition condition on the electrochemically catalytic efficiency for hydrogen evolution reaction in MoS2 nanoparticles
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.