Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
Thông tin
Điều khoản sử dụng
Quy định bảo mật
Quy chế hoạt động
Chính sách bản quyền
Giới thiệu
Đăng ký
Đăng nhập
0
Trang chủ
Khoa Học Tự Nhiên
Vật lý
Tuning the Electronic Structure of Si1-xGex Alloys
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Tuning the Electronic Structure of Si1-xGex Alloys
Ðắc Trọng
85
6
pdf
Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
The theoretical results provide comprehensive understanding for recent experimental observations on the shift of the absorption energy assigned to E1 direct transitions within L and Γ points in the Brillouin zone of Si1-xGex alloy nanocrystals. | VNU Journal of Science: Mathematics – Physics, Vol. 32, No. 4 (2016) 57-62 Tuning the Electronic Structure of Si1-xGex Alloys Tran Van Quang1,*, Nguyen Truong Giang1,2, Ngo Ngoc Ha2 1 Department of Physics, University of Transport and Communications, No. 3 Lang Thuong, Hanoi, Vietnam 2 International Training Institute for Materials Science, Hanoi University of Science and Technology, Hanoi, Vietnam Received 20 October 2016 Revised 16 November 2016; Accepted 28 December 2016 Abstract: Binary alloys of Si1−xGex, where x is the Ge composition, have attracted much attention as functional materials of both micro-electronic and opto-electronic devices in recent years. In this study, we employ first-principles density functional theory (DFT) and k.p method to study ground states of the SixGe1-x (x = 0 1) alloys. In the systems, most physical properties of the indirect semiconductors are retained which are principally described by the ground states. An interesting property of Si1−xGex alloys that is their electronic band structures are tunable between those of bulk Si and Ge. The conduction band minimum of Si shifts gently from a point along ΓX path to the L point with the increased Ge composition x. The band structures of Si1-xGex alloys calculated by the k.p method are consistent with the results from DFT calculations. We also find that band topology changes along ΓL path yield various quantum transitions which may give rise to the changes of external quantum efficiency. The theoretical results provide comprehensive understanding for recent experimental observations on the shift of the absorption energy assigned to E1 direct transitions within L and Γ points in the Brillouin zone of Si1-xGex alloy nanocrystals. Keywords: Si-Ge alloy nanocrystals, electronic structure, and ground state, functional theory. density 1. Introduction Forming from the two typical indirect semiconductors in group IV of the periodic table, Si 1−xGex (x = 0 1) alloys have attracted much .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Điều khiển Auto-Tuning PID kép
Digital Press Oracle Performance Tuning for 10gR2 2nd Edition Sep 2006
Bài giảng Code tuning and documentation
Oracle Database Performance Tuning Guide
SQL Statement Tuning
Application Tuning
Diagnostic and Tuning Tools
Java Performance Tuning
Mechanical response of outer frames in tuning fork gyroscope model with connecting diamond-shaped frame
Lecture Database Systems - Chapter 9: Practical database design and tuning (Nguyen Thanh Tung)
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.