tailieunhanh - Ebook Công nghệ micrô điện tử và nanô điện tử: Phần 2 - NXB Giáo dục

(BQ)Nối tiếp nội dung của phần 1 cuốn sách "Công nghệ micrô điện tử và nanô điện tử", phần 2 trình bày các nội dung của phần B - Nanô điện tử bao gồm: Một số vấn đề chung về khoa học và công nghệ nanô, tóm lược một số hiệu ứng vật lí và lượng tử quan trọng liên quan đến công nghệ micrô và nanô điện tử, vận chuyển hạt tải trong các cấu trúc nanô và một số tính chất đặc trưng của một số cấu hình nanô như tiếp giáp dị chất, giếng lượng tử, dây lượng tử, chấm lượng tử,. . | ftầtv B NANÔ ĐIỆN TỬ Các công nghệ nổi trội và một số vân để liên quan 287 ChươNq 9 fìưững 9 MỘT SỐ VẤN ĐÊ CHUNG VÊ KHOA HỌC VÃ CỔNG NGHÊ NANÕ . SỤ HÌNH THÀNH PHÁT TRIỂN KHÁI NIỆM VÉ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NANÔ Để hiểu được một số vấn đề về công nghệ nanô điện tử nổi trội chúng ta cần hiểu khái quát về công nghê nanô nói chung. a Sự hình thành khái niệm vê khoa học và công nghệ nanô Có một mốc quan trọng đến nay nhiều người vẫn nhắc đến và coi đó là sự khởi đầu về ý tưởng hình thành của công nghệ nanô đó là vào tháng 12 - 1959 trong Hội nghị thường niên của Hội Vật lí Mỹ được tổ chức ở Viện Công nghệ California R. Feynman đọc một báo cáo mang tính tiên đoán trong đó có nhắc tới Ở phía dưới đang còn nhiều chỗ trống There s plenty room at the bottom . Trong bài báo đó cũng nhắc tới sự thao tác và điều khiển một số tính chất ở kích cỡ nhỏ xíu . R. Feynman đã tiên đoán cho những phát triển và ứng dụng rộng lớn của công nghệ nanô trong đó có thể kể tới nhiều lĩnh vực khác nhau phương pháp chế tạo bằng chùm điên tử và chùm ion thao tác từng nguyên tử điện tử học các hiệu ứng lượng tử điện tử học spin. Tuy các khái niệm ban đầu còn rất sơ lược song cũng đã phác hoạ ra con đường đi vào nghiên cứu lĩnh vực kích thước nhỏ của vật chất rồi công nghệ micrô điện tử và ngày nay là công nghệ nanò đang được triển khai. R. Feynman cũng đã chỉ ra rằng việc chế tạo những đối tượng ở kích thước nhỏ là lĩnh vực khi đó còn ít được thực hiện nhưng bên trong nó hàm chứa rất nhiều vấn đê lớn mà ít nhất về mặt nguyên lí ta có thể chấp nhận làm được. Một số người đã đi tiên phong trong lĩnh vực này họ đã đề cập đưa ra một số ý tưởng như sau 289 ChưtíNq 9 - Giảm thiểu kích thước linh kiện thao tác nét viết. - Giảm thiểu kích thước máy tính và sử dụng các công nghệ cao để thực hiên ý tưởng này. - Công nghệ giảm kích thước xuống tôi ưu - Nhu cầu phải thay đổi thiết kế do những hiệu ứng giảm kích thước tạo ra. - Khả năng vi phẫu thuật và sử dựng thuốc chữa bệnh có hiệu quả nhất. - Chế tạo các

• Hoá học
• Công nghệ micrô điện tử
• Công nghệ nanô điện tử
• Nanô điện tử
• Cấu trúc nanô
• Vận chuyển hạt tải
• Cấu hình nanô như tiếp giáp
• Chấm lượng tử
• Chế tạo mặt nạ
• Chế tạo vật liệu bán dẫn khối
• Công nghệ lớp mặt
• Công nghệ chế tạo màng mỏng
• Vật liệu nano
• Chấm lượng tử cacbon
• Chấm lượng tử silic
• Hiệu ứng giam hãm lượng tử
• Khóa luận tốt nghiệp
• Trạng thái của tạp chất Donor
• Tạp chất Donor
• Chấm lượng tử InAs GaAs
• Trạng thái của điện tử
• Chấm lượng tử hình cầu
• Chấm lượng tử graphene
• Phổ huỳnh quang
• Phổ tán xạ Raman
• Quang điện tử
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Vật lý kỹ thuật
• Quantum dots
• Tính chất vật lý chấm lượng tử
• Ứng dụng chấm lượng tử
• Luận văn Thạc sĩ
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học
• Vật lý chất rắn
• Chấm lượng tử CdS/ZnSe
• Chất bán dẫn
• Chấm lượng tử ZnSe
• Phương pháp thủy nhiệt
• Chấm lượng tử bán dẫn
• Tinh thể quang tử
• Tinh thể quang tử kiểu opal
• Chế tạo tinh thể quang tử
• Chấm lượng tử lõi CdSe
• Năng lượng liên kết
• Giả hạt exciton
• Năng lượng liên kết của exciton
• Exciton truyền thống
• Mô hình exciton loại 2 trong hai chấm lượng tử
• Chấm lượng tử silicon
• Cấu trúc điện tử
• Cấ trúc silicon
• Phổ tử hồng ngoại IR
• Sự giam giữ phonon
• Độ rộng phổ tuyến tính
• Siêu mạng chấm lượng tử
• Phương pháp toán tử
• Bài thuyết trình Vật lý ứng dụng
• Tổng hợp chấm lượng tử
• Chấm lượng tử CdSe chitosan lục
• Dòng bức xạ γ khuôn polymer
• Đặc trưng của TEM
• Phân tích phổ XRD
• Độ rộng phổ phi tuyến
• Siêu mạng chấm lượng tử thế parabol
• Siêu mạng chấm
• Lượng tử thế parabol
• Phonon bị giam giữ
• Chuyển dời quang liên vùng
• Quang liên vùng
• Độ lệch cộng hưởng
• Hạt nano chấm lượng tử CdSe
• Môi trường nước
• Đánh dấu huỳnh quan
• Cường độ phát huỳnh quang
• Hợp chất citrate
• Quang sinh học
• Phát xạ huỳnh quang
• Chấm lượng tử CdSe và CdSe Cds
• Ứng dụng đánh dấu sinh học
• Cấu trúc lõi
• Chấm lượng tử bán dẫn bán dẫn
• Đánh dấu sinh học
• Tế bào sống
• Ứng dụng chấm lượng tử CdSe ZnS
• Chấm lượng tử CdSe ZnS
• Chất phát huỳnh quang
• Đánh dấu tế bào
• Kháng thể anti pan T
• Tế bào Jurkat T
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Vật lý
• Quang học
• Chấm lượng tử CdSe
• Pin mặt trời
• Điện cực anốt
• Tóm tắt luận văn
• Phương pháp gần đúng khối lượng hiệu dụng
• Trạng thái của Electron
• Electron trong chấm lượng tử
• Trạng thái điện tử của Electron
• Luận án tiến sĩ khoa học vật liệu
• Đề tài chấm lượng tử CdSe
• Phương pháp chế tạo các châm lượng tử
• Luận án khoa học vật liệu
• Nghiên cứu ứng dụng vật liệu
• Chế tạo chấm lượng tử
• Lượng tử Zns
• ZnS bọc 3 Mercaptopropan
• Diol ứng dụng làm Sensor huỳnh quang
• Huỳnh quang cho ion Cu2+
• Tạp chí khoa học
• Chế tạo tinh thể Photonic
• Cấu trúc kiểu opal
• Linh kiện thông tin lượng tử
• Pha tạp ion Mn2+
• Đồng kết tủa
• Mn2+ trong môi trường nước
• Lượng tử ZnSe pha tạp
• Phương trình Liouville lượng tử
• Phản ứng tuyến tính
• Công thức Kubo Mori
• Hệ số hấp thụ sóng điện từ
• Trạng thái của electron trong chấm lượng tử
• Phương pháp gần đúng electron liên kết mạnh
• Phương pháp gần đúng electron liên kết yếu
• Electron trong tinh thể
• Khóa luận tốt nghiệp Vật lý