tailieunhanh - Nghiên cứu chế tạo CdS cấu trúc Nano ứng dụng trong Sensor AND

Các nano tinh thể CdS được tổn hợp trên nền polyme đặc trưng bằng các phương pháp phổ nhiễu xạ tia X(X-ray) hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Cơ thể tạo thành hạt nano tinh thể CdS trên nền chitosan được đề xuất dựa trên kết quả của phương pháp phổ hồng ngoại (IR) và phổ quang điện tử tia X (XPS). Phương pháp thể vòng và phổ tổng điện trở hóa được sử dụng để nghiên cứu sự ghép nối của nano tinh thể với CdS với AND. | Hội nghị Khoa học lẳn thứ 20 - ĐHBK Hà Nội Phân ban Công nghệ Hóa vô Cff NGHIÊN CỬU CHÉ TẠO CdS CẤU TRÚC NANÔ ỨNG DỤNG TRONG SENSOR ADN STUDY ON SYNTHESIS NANOSIZED CdS USED IN DNA SENSOR Nguyễn Ngọc Thịnh Trần Đại Lâm Khoa Công nghệ Hóa học Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội TÓM TẤT Các nano tinh thế Cds được tống hợp trển nền polymer sinh học chitosan dưới dạng màng mông. Kích thước tinh thể được đặc trưng bằng các phương pháp phũ nhiễu xạ tia X X-ray hiển vi điện tử truyền qua TEM . Cơ chê tạo thành hạt nanô tinh thê Cds trẽn nền chứosan được đề xuất dựa trên kết quà của phương pháp phổ hồng ngoại IR và pho quang điện lử tia X XPS . Phương pháp thế vòng CV và phô tông trở điện hóa EỈS được sử dụng đê nghiên cứu sự ghép nôi của nanô tình thê CdS với ADN. ABSTRACT In this paper chitosan biopolymer was used as a matrix to synthesàe nanosized Cds thin film with a narrow size distribution under mild conditions. The size of Cds particles was estimated X-Ray Diffraction XRD and Transmission Electron Microscopy TEM . The surface was analysed byAtomic Force Microscope AFM . CdS particle growth and agglomeration was constrained by chitosan matrix. Fourier Transform Infrared Spectroscopy FTIR and X-ray Photoelectron Spectroscopy xps results were used to propose the mechanism of nanoparticles formation within chitosan matrix-Cyclic Voltammetry CV and Electrochemical Impedance Spectroscopy EIS were used to examine DNA sensors. Ì Do nhttng tf s quang ưu việt và rất mới các iaaiMWèókỉch thước nanomét thuộc Idpv rai mng dang thu hút được nhiều sự quan iriynghien cưu hiện nay l . Hệ cổc hffibftm te ị iền nhất được dựa trên vậtTifituA n g c t liệu ban dằn có vùng cM Thâp phụ trong vùng nhinjh wjWMMfl imtttlrong vùng tử ngoại g nRSj Bgayihich hợp với một sổ ỉớn các J nRm hscr diing trong kĩ thuật thực n Ịu npụgỉ các hợp chat AnBvl cadimKim pln CdS được quan tâm nhiều do độ rộng vừng cấm cùa bán dẫn khối 2 45eV tường ứng vởỉ vung anh sáng nhìn thấy. Đặc biệt gần đây các hướng

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.