tailieunhanh - Tóm tắt Luận án Tiến sĩ: Nghiên cứu hiệu quả lâu dài của phương pháp đặt thể thủy tinh nhân tạo trên mắt còn thể thủy tinh điều trị cận thị nặng

Luận án “Nghiên cứu hiệu quả lâu dài của phương pháp đặt thể thủy tinh nhân tạo trên mắt còn thể thủy tinh điều trị cận thị nặng” nhằm 2 mục tiêu sau: Đánh giá hiệu quả lâu dài của phương pháp phẫu thuật đặt TTTNT trên mắt còn TTT điều trị cận thị nặng; phân tích một số yếu tố liên quan đến kết quả của phẫu thuật. | Takashi và cộng sự [70] nghiên cứu sự thay đổi của độ Vault sau đặt ICl 1 năm trên 36 mắt của 19 bệnh nhân, tác giả nhận thấy độ vault sau mổ là 0,53±0,25mm sau 1 năm. 3 mức độ vaul thấp (≤0,25mm), trung bình (>0,25 đến <0,75mm), cao (≥ 0,75mm) sau mổ 1 ngày lần lượt là 0,22±0,03;0,48 ± 0,14; 0,97 ± 0,23 với tỷ lệ là 11,1-50,1- 38,9%, độ vault này thay đổi sau 1 năm 0,19± 0,06; 0,39± 0,11; 0,78 ± 0,19, tỷ lệ lần lượt là 13,9 – 72,2 – 13,9%, sự thay đổi này có mối tương quan với P< 0,001, r²= 0,6393. Độ vault không ổn định từ 1 tuần đến 3 tháng vì ICL xoay, sau 3 tháng khi ICL ổn định, độ vault cũng ít thay đổi. Điều này cũng được báo cáo trong nghiên cứu của Oh J và cộng sự [71] là do độ dài sulcus to sulcus lớn hơn đường kính ngang. Chỗ đặt tốt nhất của ICl là sulcus chứ không phải rãnh thể mi. Một báo cáo của Choi KH và cộng sự [72] có 35% ICL đặt vào rãnh thể mi, không phải sulcus có thể gây độ vault giảm. Vault giảm còn do sự tăng thể tích của TTT, báo cáo của Jones và Atchison [73] [74] độ sâu tiền phòng giảm 0,011mm một năm do sự tăng của TTT theo tuổi, đường kính ngang cũng giảm theo tuổi [74] [75] Vì ICL cố định vào mặt sau mống mắt nên khi đồng tử co giãn sẽ làm giảm áp lực, có thể làm giảm vault của ICL. 1 số báo cáo của Fea AM, Guell JL, Petternel V, vault không thay đổi trong quá trình điều tiết mặc dù tiền phòng nông [76] [77] [78]. Tuy nhiên Lege và cộng sự cho rằng độ vault giảm ở một số bệnh nhân trẻ có điều tiết mạnh hơn những bệnh nhân lớn tuổi [79]. Kích cỡ ICL quá lớn (over size) gây vaul cao, kích cỡ ICL quá nhỏ (under size) gây vault thấp.