tailieunhanh - Thiết kế và chế tạo cảm biến gia tốc áp điện trở ba bậc tự do kích thứớc thu nhỏ trên cơ sở công nghệ vi cơ khối áp dụng kỹ thuật ăn mõn khô hoạt hóa sâu (DRIE)

Bài báo này trình bày kết quả nghiên cứu thiết kế qui trình và bộ MASK chế tạo cảm biến gia tốc kiểu áp trở ba bậc tự do có kích thước thu nhỏ với việc áp dụng một kỹ thuật tiên tiến, là ăn mòn khô hoạt hóa sâu (DRIE), để tạo cấu trúc ba chiều phức tạp của linh kiện. Các đặc trưng lối ra của cảm biến sau chế tạo đã được đo đạc và so sánh với các kết quả tính toán cho thấy cảm biến đã có những đáp ứng như mong đợi. | TẠP CHÍ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ CÁC TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT SỐ 70 - 2009 THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CẢM BIẾN GIA TỐC ÁP ĐIỆN TRỞ BA BẬC Tự DO KÍCH THỨỚC THU NHỎTRÊN CƠ SỞ CÔNG Nghệ VI CƠ KHỐI ÁP DỤNG KỸ THUẬT ĂN MÒN KHÔ HOẠT HÓA SÂU DRIE DESIGN AND FABRICATION OF MEMS MINISTURIZED 3-DOF PIEZORESISTIVE ACCELERATION SENSORS USING DEEP REACTIVE ION ETCHING TECHNOLOGY Vũ Ngọc Hùng Nguyễn Văn Minh Lê Văn Minh Trịnh Quang Thông Trường Đại học Bách khoa Hà Nội TÓM TẮT Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu thiết kế và chế tạo cảm biến gia tốc ba bậc tự do kích thước thu nhỏ trên cơ sở công nghệ vi cơ khối. Cảm biến được thiết kế có kích thước ngoài là 1x1x0 45 mm3. Phần tử nhạy cơ của cảm biến gồm khối gia trọng được treo trên bốn thanh dầm đối xứng có kích thước 340x60x10 pm3 và được giữ cố định trên khung cứng bên ngoài sử dụng vật liệu silic. Các áp điện trở silic dạng bản mỏng có kích thước 3x30 pm2 được tạo trên các thanh dầm. Qui trình chế tạo cảm biến gia tốc được thực hiện trên cơ sở áp dụng công nghệ vi điện tử để tạo các áp điện trở loại p cũng như dây điện cực và công nghệ vi chế tạo sử dụng kỹ thuật ăn mòn khô ion hoạt hoá sâu DRIE để tạo cấu trúc cơ của cảm biến. Trong nghiên cứu của chúng tôi quá trình ăn mòn vật liệu Si được thực hiện theo phương pháp Bosch sử dụng hỗn hợp khí SF6 và C4F8. Cảm biến được chế tạo có thể xác định đồng thời ba thành phần gia tốc Ax Ay và Az trong dải tần số hoạt động 100 Hz. Độ nhạy theo các phương X Y và Z đạt giá trị tương ứng là 30 5 pV g và 22 9 pV g. ABSTRACT This paper presents the design and the fabrication of a miniaturized three-degree-of-freedom piezoresistive acceleration sensor based on bulk MEMS technology. The outer dimension of designed sensor is 1x1x0 45 mm3. The mechanical sensitive part includes a seismass suspended by four symetrical thin beams which have the dimension of 340x60x10 pm3. This structure is contrained by a silicon rigid frame. The thin film resistors have the dimension of 3x30 pm2. The sensor fabrication .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.