tailieunhanh - Bài giảng Cấu kiện điện tử và quang điện tử: Chương 6 - Ths. Trần Thục Linh

Chương 6 FET (Transistor hiệu ứng trường), cùng tìm hiểu chương học này với các nội dung sau: Giới thiệu chung về FET; Transistor trường loại tiếp giáp – JFET; Cấu trúc MOS; Transistor trường loại cực cửa cách ly-IGFET. | CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ QUANG ĐIỆN TỬ Chương 6- FET Transistor hiệu ứng trường 1. Giới thiệu chung về FET 2. Transistor trường loại tiếp giáp - JFET 3. Cấu trúc MOS 4. Transistor trường loại cực cửa cách ly - IGFET Giảng viên ThS. Trần Thục Linh - Bộ môn KTĐT Trang 1 1. Giới thiệu chung về FET Transistor hiệu ứng trường FET Field Effect Transistor là một dạng linh kiện bán dẫn ứng dụng hiệu ứng điện trở suất của bán dẫn được điều khiển bằng điện trường đây là một loại cấu kiện điều khiển bằng điện thế. Nguyên lý hoạt động cơ bản của Transistor trường là dòng điện đi qua một môi trường bán dẫn có tiết diện dẫn điện điện trở suất hoặc nồng độ hạt dẫn thay đổi dưới tác dụng của điện trường vuông góc với lớp bán dẫn đó do đó điều khiển được dòng điện đi qua nó. Lớp bán dẫn này được gọi là kênh dẫn điện. Khác với BJT FET chỉ có một loại hạt dẫn cơ bản tham gia dẫn điện. FET có ba chân cực là cực. BJT E B C FET S Source Cực nguôn các hạt dẫn đa số đi vào kênh tạo ra dòng điện nguồn IS. G Gate Cực cửa cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh D Drain Cực máng các hạt dẫn đa số rời khỏi kênh tạo ra dòng ID Giảng viên ThS. Trần Thục Linh - Bộ môn KTĐT Trang 2 Phân loại chung về FET FET chia thành các loại theo cấu trúc của cực cửa và của kênh dẫn như sau JFET Junction FET Transistor hiệu ứng trường điều khiển bằng chuyển tiếp PN cực điều khiển G ngăn cách với kênh dẫn bằng vùng nghèo của chuyển tiếp PN phân cực ngược. IGFET Isolated Gate FET Transistor hiệu ứng trường cực cửa cách ly với kênh dẫn điển hình là linh kiện MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor FET và MESFET Metal-Semiconductor FET . MESFET cực điều khiển ngăn cách với kênh dẫn bằng vùng nghèo của chuyển tiếp kim loại-bán dẫn. MOSFET cực điều khiển cách ly hẳn với kênh dẫn thông qua một lớp điện môi SiO2 . Đây mới đúng là Transistor trường theo đúng nghĩa của thuật ngữ này vì chỉ có loại này dòng chảy qua kênh dẫn mới được điều khiển hoàn toàn bằng điện trường dòng điều khiển hầu như bằng không