tailieunhanh - Báo cáo Phương pháp phún xạ magnetron trong chế tạo màng mỏng

Phún xạ là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các iôn khí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế. Để tìm hiểu sâu hơn về vấn đề này mời các bạn tham khảo "Báo cáo Phương pháp phún xạ magnetron trong chế tạo màng mỏng". | TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON TRONG CHẾ TẠO MÀNG MỎNG GVHD : PGS. TS. Lê Văn Hiếu HVTH : Phạm Văn Thịnh MÔN : VẬT LÝ PLASMA Địa chỉ bạn đã tải: Nơi bạn có thể thảo luận: Dịch tài liệu trực tuyến miễn phí: Dự án dịch học liệu mở: Liên hệ với người quản lí trang web: Yahoo: thanhlam1910_2006@ Gmail: frbwrthes@ Ar+ Đế BIA I. Khái niệm về phún xạ Phún xạ(Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các iôn khí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế. Bản chất quá trình phún xạ - Quá trình phún xạ là quá trình truyền động năng. II. CÁC LOẠI PHÚN XẠ 1. Phún xạ phóng điện một chiều (DC discharge sputtering) 2. Phún xạ phóng điện xoay chiều (RF discharge sputtering) 3. Phún xạ magnetron 4. Các cấu hình phún xạ khác 1. Phún xạ phóng điện một chiều (DC discharge sputtering) Là kỹ thuật phún xạ sử dụng hiệu điện thế một chiều để gia tốc cho các iôn khí hiếm. Bia vật liệu (tuỳ thuộc vào thiết bị mà diện tích của bia nằm trong khoảng từ 10 đến vài trăm centimet vuông) được đặt trên điện cực âm (catốt) trong chuông chân không được hút chân không cao, sau đó nạp đầy bởi khí hiếm (thường là Ar hoặc He.) với áp suất thấp (cỡ 10-2 mbar) Sơ đồ hệ phóng điện cao áp một chiều (DC-sputter) 2. Phún xạ phóng điện xoay chiều (RF discharge sputtering) Là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho iôn khí hiếm. Nó vẫn có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy nhiên máy phát là một máy phát cao tần sử dụng dòng điện tần số sóng vô tuyến (thường là 13,56 MHz). Vì dòng điện là xoay chiều, nên nó có thể sử dụng cho các bia vật liệu . | TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON TRONG CHẾ TẠO MÀNG MỎNG GVHD : PGS. TS. Lê Văn Hiếu HVTH : Phạm Văn Thịnh MÔN : VẬT LÝ PLASMA Địa chỉ bạn đã tải: Nơi bạn có thể thảo luận: Dịch tài liệu trực tuyến miễn phí: Dự án dịch học liệu mở: Liên hệ với người quản lí trang web: Yahoo: thanhlam1910_2006@ Gmail: frbwrthes@ Ar+ Đế BIA I. Khái niệm về phún xạ Phún xạ(Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các iôn khí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế. Bản chất quá trình phún xạ - Quá trình phún xạ là quá trình truyền động năng. II. CÁC LOẠI .

• Vật lý
• Phương pháp phún xạ magnetron
• Phún xạ magnetron
• Chế tạo màng mỏng
• Phương pháp chế tạo màng mỏng
• Tìm hiểu phún xạ magnetron
• Hướng dẫn phún xạ magnetron
• Phương pháp phún xạ Magnetron RF
• Bài thuyết trình Vật lý
• Phương pháp phún xạ
• Hệ số phún xạ
• Phún xạ Magnetron DC
• Màng dẫn điện trong suốt SnO2Ga
• Màng dẫn điện
• Phương pháp phún xạ magnetron DC
• Ảnh nhiễu xạ tia X
• Sự ảnh hưởng dòng phún xạ
• Dòng phún xạ
• Tính chất quang xúc tác màng TiO2
• Sự ủ nhiệt
• Độ gồ ghề RMS
• Chế tạo nhiệt độ màng SnO
• Phương pháp phún xạ phản ứng magnetron DC
• Phương pháp phún xạ phản ứng
• Phún xạ kim loại
• Linh kiện quang điện
• báo cáo khoa học
• Màng dẫn điện trong suốt
• SnO2Sb TCO
• đế thủy tinh
• màng dẫn điện trong suốt SnO2Sb
• Nghiên cứu chế tạo màng TiN
• Chế tạo màng TiN
• Màng Titanium nitride
• Phương pháp bốn mũi dò
• Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO
• Chế tạo màng dẫn điện
• Vùng ánh sáng khả kiến
• Cơ chế pha tạp Nitơ vào tinh thể Tio2
• Cơ chế pha tạp Nitơ
• Tinh thể Tio2
• Phản ứng Magnetron DC
• Bột và màng TiO2
• Tiểu luận Vật lý
• Nghiên cứu chế tạo màng ITO
• Màng trong suốt dẫn điện
• Công suất phún xạ
• Xử lý nhiệt sau khi phủ
• Bước tạo màng ITO
• Tính chất của màng ITO
• Độ dày màng ITO
• Phún xạ magnetron rf
• Hệ số ma sát
• Thể tích mài mòn
• Chống mài mòn TiZrN
• Cấu trúc của màng ZnO
• Cấu trúc của màng Ag chế tạo
• Phương pháp phún xạ r f magnetron
• ZnO pha tạp Ag
• Nhiễu xạ tia X
• Tạp chí Khoa học và Công nghệ
• Vật lý kỹ thuật
• Chế tạo màng dẫn điện trong suốt
• Thiết bị quang điện
• Phương pháp chế tạo màng SnO2
• Màng mỏng Al2O3
• nh chất quang
• ứng dụng Al2O3
• Màng TiN
• cấu trúc
• điện
• Nghiên cứu chế tạo màng SnO2
• Vật liệu SnO2
• Cơ chế tạo màng SnO2
• Thực nghiệm chế tạo màng SnO2
• Đặc điểm màng SnO2
• Đề tài Vật lý
• Nghiên cứu chế tạo màng WO3
• Vật liệu điện sắc WO3
• Tính chất vật liệu điện sắc WO3
• Chế tạo màng WO3
• Màng mỏng ZnO
• Màng mỏng ZnO pha tạp nguyên tố đất
• Ứng dụng màng ZnO pha tạp
• Hiệu ứng pha tạp của đất hiếm
• Tính chất màng mỏng ZnO
• Nghiên cứu chế tạo màng mỏng TiO2
• Chế tạo màng mỏng TiO2
• Màng mỏng TiO2
• Phép đo UV VIS
• Cấu trúc điện sắc
• Tính chất điện sắc
• Màng mỏng vanadium pentoxide
• Kim loại Vanadium
• Chế tạo màng mỏng dẫn điện
• Hỗn hợp khí argon và hydrogen
• Dẫn điện trong suốt
• Linh động điện tử
• Luận án Tiến sĩ
• Kim loại học
• Khoa học vật liệu
• Tóm tắt luận án Tiến sĩ
• Màng phủ nitrua
• Hợp kim cứng WC Co
• Luận án Tiến sĩ Vật lý
• Vật liệu màng mỏng
• Quang học
• Mô hình Lorentz
• Báo cáo Vật lý
• Chế tạo màng mỏng quang xúc tác
• Màng mỏng quang xúc tác TiO2
• Pương pháp phún xạ Magnetron DC
• Tính năng quang xúc tác
• Thông số chế tạo màng TiO