tailieunhanh - Ray et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:224

Ray et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:224 NANO EXPRESS Open Access Structural and optical properties of germanium nanostructures on Si(100) and embedded in high-k oxides Samit K Ray*, Samaresh Das, Raj K Singha, Santanu Manna, Achintya Dhar Abstract The structural and optical properties of Ge quantum dots (QDs) grown on Si(001) for mid-infrared photodetector and Ge nanocrystals embedded in oxide matrices for floating gate memory devices are presented. The infrared photoluminescence (PL) signal from Ge islands has been studied at a low temperature. The temperature- and biasdependent photocurrent spectra of a capped Si/SiGe/Si(001) QDs infrared photodetector device are presented. The properties of Ge. | Ray et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 224 http content 6 1 224 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Structural and optical properties of germanium nanostructures on Si 100 and embedded in high-k oxides Samit K Ray Samaresh Das Raj K Singha Santanu Manna Achintya Dhar Abstract The structural and optical properties of Ge quantum dots QDs grown on Si 001 for mid-infrared photodetector and Ge nanocrystals embedded in oxide matrices for floating gate memory devices are presented. The infrared photoluminescence PL signal from Ge islands has been studied at a low temperature. The temperature- and biasdependent photocurrent spectra of a capped Si SiGe Si 001 QDs infrared photodetector device are presented. The properties of Ge nanocrystals of different size and density embedded in high-k matrices grown using radio frequency magnetron sputtering have been studied. Transmission electron micrographs have revealed the formation of isolated spherical Ge nanocrystals in high-k oxide matrix of sizes ranging from 4 to 18 nm. Embedded nanocrystals in high band gap oxides have been found to act as discrete trapping sites for exchanging charge carriers with the conduction channel by direct tunneling that is desired for applications in floating gate memory devices. Introduction Germanium nanostructures have potential applications for electronic flash memories 1-3 and light emitters in visible 4 and near-infrared 5 wavelengths making the indirect gap semiconductor attractive for novel electronic and optical devices. In comparison to bulk Ge nanocrystals exhibit a tunable emission wavelength 6 and increased oscillator strength due to the quantum confinement of excitons. The confinement of charge carriers in these nanostructures allows one to increase the efficiency of the radiative recombination. The growth of Ge islands on Si substrates via Stranski-Kras-tanow growth mode has been extensively investigated as this .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học