tailieunhanh - Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 6

Tham khảo tài liệu 'materials science and engineering - electronic and mechanical properties of materials part 6', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Use of Minority Carrier Diffusion Equations Example Light shining on a surface of a semiconductor 0 hv G at x 0 assume infinite absorption coefficient to simplify example d 2 Ap Ap dX 1 DhT h x n-type Ap X Steady state solution d2 Ap Ap D 1 r------- G 0 in bulk h ỔX2 T h try Ap AeaX Be Now use boundary conditions of the problem @ X TO Ap 0 . A 0 AeaX BeaX a 2 Aea a2 Be- X Be X Ap Be D h a . VDhT h @ X 0 Ap Gt h . B Gt h Ap X Ap Gt h e Lh Units of length minority carrier diffusion length Lh J h eDh dp 1 e E. Fitzgerald-1999 7 Semiconductor Electronics Single crystalline - largely Si some III - V compounds Dominated by many nearly identical highly engineered junctions DRAMS today - 109 transistors Microprocessors 2002 - 108 transistors Total - 1018 yr - 106 person day e . Tuller 2001 8 4 5 Drift and Diffusion Holes diffuse 111 Electrons diffuse An electric field forms due to the fixed nuclei in the lattice from the dopants Therefore a steady-state balance is achieved where diffusive flux of the carriers is balanced by the drift flux E. Fitzgerald-1999 12

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.