tailieunhanh - Giáo trình Vật liệu bán dẫn part 5

Tham khảo tài liệu 'giáo trình vật liệu bán dẫn part 5', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | VẬT LIÊỤ BÁN DẪN qua quá trình kết tủa GaAs nhờ đó mà xảy ra epitaxy trên bề mặt đế như một tinh thể mầm. Quá trình phát triển xảy ra cho đến khi dịch chuyển đế ra khỏi dung dịch. Giải pháp thứ hai là epitaxy pha lỏng bằng làm nguội từng đợt. Đầu tiên dung dịch ở trạng thái bão hoà GaAs ờ nhiệt độ Ta. Giảm nhiệt độ xuống Tb thấp hơn khoảng 5 - 20 C và dung dịch trở nên quá bão hoà. Đẻ đơn tinh thể ở nhiệt độ Tb được đưa vào dung dịch và được giữ ở nhiệt độ đó mãi. Thoạt đầu quá trình epitaxy xảy ra do có độ quá bão hoà GaAs trong dung dịch nhưng dung dịch sẽ nghèo dần GaAs và tốc độ phát triển epitaxy giầm dần. . Epitaxy bằng chùm phán tử Epitaxy bằng chùm phân từ Molecular-Beam Epitaxy-MBE là phương pháp dựa vào tương tác của chùm nguyên tử hay phân tử với bề mặt đơn tinh thể trong chân không siêu cao IO10 Tor . Phương pháp epitaxy bằng chùm phân tử cho phép khống chế chính xác thành phần hoá học cũng như quy luật phân bô tạp chất của các màng epitaxy. Nó cũng cho phép chế tạo các cấu trúc đa lớp với bể dày mỗi lớp cỡ một vài lớp nguyên tử. Nói chung tốc độ phát triển rất thấp ví dụ đối với GaAs tốc độ phát ưiển thường dùng là 1 pim giờ. Sơ đồ nguyên lý của một hệ epitaxy bằng chùm phân tử đối với GaAs và các hợp chất tương tự AmBv như dạng Al được biểu diễn ở hình 4-15. Trong hệ này quá trình tạo màng được kiểm soát chặt chẽ độ sạch cũng như thành phần hoá học được theo dõi tại trận kịp thời. Các Hình 4-15 Sơ đổ hệ epitaxy bằng chùm phàn tửMBE. chén nung bốc hơi Ga As và các tạp chất cần pha vào được chế tạo từ nitrit bo được làm sạch trong chân khồng siêu cao 10 10 Tor nhiệt độ nung được khống chế điều chỉnh nhằm đạt được tốc độ bay hơi mong muốn. Giá giư đế được quay liên tục làm cho lớp epitaxy được đồng nhất. 162 Trưởng Đại học Bách khoa Hà Nội Chương 4 Cõng nghệ chế tạo đan tinh thể Để phát triển lớp epitaxy GaAs người ta duy trì một áp suất dư đối với As bởi vì trong khi hệ sô dính của Ga trên GaAs bàng 1 thì hệ só dính của As trên GaAs bằng 0