tailieunhanh - Các linh kiện bán dẫn công suất

Diode công suất chia làm 2 loại : Dùng cho tần số công nghiệp (diode chỉnh lưu) Diode dùng cho mạch đóng ngắt tần số cao. Diode công suất do 2 lớp vật liệu bán dẫn P-N ghép lại thành. S mặt ghép đạt tới hàng chục Cm2, với mật độ dòng điện 10A/mm2. | Các linh kiện bán dẫn công suất 1. Diode công suất: Diode công suất chia làm 2 loại : Dùng cho tần số công nghiệp (diode chỉnh lưu) Diode dùng cho mạch đóng ngắt tần số cao. Diode công suất do 2 lớp vật liệu bán dẫn P-N ghép lại thành. S mặt ghép đạt tới hàng chục Cm2, với mật độ dòng điện 10A/mm2 1. Diode công suất:(tt) Sự phân cực của mặt ghép P-N Phân cực thuận Vcc> 0,6V Phân cực nghịch 1. Diode công suất:(tt) Ở góc phần tư thứ nhất: Dòng điện lớn, sụt áp nhỏ Ở góc phần tư thứ ba: Dòng rò nhỏ, điện áp ngược lớn Thông số: Iđm – dòng điện định mức, hiện nay dòng điện lớn nhất của một diod công suất tới 7000A U – sụt áp thuận; Sụt áp của diod trong khoảng (0,7 - 2)V P – tổn hao công suất P = (đến hàng kW) Tcp- nhiệt độ làm việc cho phép; Tại lớp tiếp giáp khoảng 2000C UN - điện áp ngược; Trong khoảng (50-4000)V Irò – dòng điện rò, hàng trăm mA I U + - + - ILV 1. Diode công suất:(tt) Một số diode công suất trong thực tế: 2. Transistor công suất: Gồm 3 lớp bán dẫn tạo bởi 2 tiếp | Các linh kiện bán dẫn công suất 1. Diode công suất: Diode công suất chia làm 2 loại : Dùng cho tần số công nghiệp (diode chỉnh lưu) Diode dùng cho mạch đóng ngắt tần số cao. Diode công suất do 2 lớp vật liệu bán dẫn P-N ghép lại thành. S mặt ghép đạt tới hàng chục Cm2, với mật độ dòng điện 10A/mm2 1. Diode công suất:(tt) Sự phân cực của mặt ghép P-N Phân cực thuận Vcc> 0,6V Phân cực nghịch 1. Diode công suất:(tt) Ở góc phần tư thứ nhất: Dòng điện lớn, sụt áp nhỏ Ở góc phần tư thứ ba: Dòng rò nhỏ, điện áp ngược lớn Thông số: Iđm – dòng điện định mức, hiện nay dòng điện lớn nhất của một diod công suất tới 7000A U – sụt áp thuận; Sụt áp của diod trong khoảng (0,7 - 2)V P – tổn hao công suất P = (đến hàng kW) Tcp- nhiệt độ làm việc cho phép; Tại lớp tiếp giáp khoảng 2000C UN - điện áp ngược; Trong khoảng (50-4000)V Irò – dòng điện rò, hàng trăm mA I U + - + - ILV 1. Diode công suất:(tt) Một số diode công suất trong thực tế: 2. Transistor công suất: Gồm 3 lớp bán dẫn tạo bởi 2 tiếp giáp p-n, trong đó lớp giữa rất mỏng (cỡ 0,001 cm) và khác loại với 2 lớp bên. Lớp giữa là bán dẫn loại P ta có BJT loại N-P-N Lớp giữa là bán dẫn loại N ta có BJT loại P-N-P 2. Transistor công suất:(tt) Các trạng thái hoạt động của transistor a. Trạng thái ngưng dẫn: Nếu phân cực nghịch mối nối BC và không phân cực hoặc phân cực nghịch mối nối BE thì tại các cực của transistor không có dòng điện ta nói transistor ngưng dẫn. 2. Transistor công suất:(tt) b. Trạng thái khuếch đại: Khi ta pcthuận mối nối BE (VB>VE)) và phân cực ghịch mối nối BC (VC>VB) lúc này xuất hiện dòng điện đi qua mối BE là IB và dòng IC đi từ cực C sang cực E Như vậy: Khi ta phân cực nghịch mối nối BC và phân cực thuậnBE thì transistor hoạt động trong vùng khuếch đại IC= IB VCE= Vcc- IB (RE+RC). Phân cực thuận mối nối BE và nghịch BC N N P C B E JC JE IE IB 2. Transistor công suất:(tt) c. Trạng thái bão hoà: Nếu ta giảm điện trở RB thì dòng IB tăng và lúc này dòng IC sẽ tăng lên một lượng gấp lần so với .