tailieunhanh - Giáo trình hướng dẫn phân tích các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p8

Tham khảo tài liệu 'giáo trình hướng dẫn phân tích các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p8', khoa học tự nhiên, vật lý phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | VBE t - Vbe Vbe t Thành phần tức thời - thành phần DC thành phần xoay chiều. Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy điểm B nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N khi phân cực thuận nên re 26mV Ie n p B n- ieị ib ic B Hình 31 Ngoài ra ta cũng có điện trở rb của vùng bán dẫn nền phát ở đây ta có thể coi như đây là điện trở giữa B và B . Do giữa B và C phân cực nghịch nên có một điện trở r0 rất lớn. Tuy nhiên vẫn có dòng điện ic - - chạy qua và được coi như mắc song song với r0. a là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc nền chung a aac ac AIC ÃIE diC diE Ịc ie Thông thường a hoặc aac gần bằng aDC và xấp xĩ bằng đơn vị. p là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc cực phát chung. p pac hfe ac fe AiC diC ic Ai B diB ib Thông thường p hoặc pac gần bằng pDC và cũng thay đổi theo dòng ic. Trị số a p cũng được nhà sản xuất cung cấp. Như vậy mô hình của transistor đối với tín hiệu xoay chiều có thể được mô tả như sau rb thường có trị số khoảng vài chụcBÌ r0 rấHớh 1Ì211 có thể bỏ qua trong mô hình của transistor. Trang 81 Biên soạn Trương Văn Tám 2. Điện dẫn truyền transconductance Ta thấy rằng dòng điện cực thu IC thay đổi theo điện thế nền phát VBE. Người ta có thể biểu diễn sự thay đổi này bằng một đặc tuyến truyền transfer curve của transistor. Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. Người ta định nghĩa điện dẫn truyền của transistor là Aic ic t AVbe Vbe t Và đó chính là độ dốc của tiếp tuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q. Tương tự như diode ta cũng có VBE T I .e VT XC CES -e Trong đó IC là dòng điện phân cực cực thu ICES là dòng điện rĩ cực thu khi VBE 0V VT T nhiệt độ Kelvin e Ở nhiệt độ bình thường 250C VT 26mV Ta có thể tính gm bằng cách lấy đạo hàm của IC theo VBE. dI I g dI e 8m dVBE VT BE Trang 82 Biên soạn Trương Văn Tám Và gm i O VT Ở nhiệt độ