tailieunhanh - Chương 4 Các sơ đồ cơ bản của tầng KĐ tín hiệu nhỏ và mạch ghép

Khi phân tích sơ đồ của một tầng KĐ vấn đề cơ bản nhất là chọn được cách biểu diễn thích hơp cho các phần tử tích cực, với khu vực tín hiệu nhỏ, tần số thấp thường dùng sơ đồ tương đương hình ∏ cho phép minh họa đầy đủ tính chất vật lí của mạch hoặc sơ đồ tương đương mạng 4 cực. Với tần số cao thường dùng sơ đồ tương đương Y vì xuất hiện nhiều yếu tố điện dẫn kí sinh ảnh hưởng tới mạch điện Các tham số cơ bản khi phân. | Bộ môn kỹ thuật điện tử Trường ĐHGTVT Chương 4 Các sơ đồ cơ bản của tầng KĐ tín hiệu nhỏ và mạch ghép Nguyên tắc chung phân tích mạch KĐ Khi phân tích sơ đồ của một tầng KĐ vấn đề cơ bản nhất là chọn được cách biểu diễn thích hơp cho các phần tử tích cực, với khu vực tín hiệu nhỏ, tần số thấp thường dùng sơ đồ tương đương hình ∏ cho phép minh họa đầy đủ tính chất vật lí của mạch hoặc sơ đồ tương đương mạng 4 cực. Với tần số cao thường dùng sơ đồ tương đương Y vì xuất hiện nhiều yếu tố điện dẫn kí sinh ảnh hưởng tới mạch điện Các tham số cơ bản khi phân tích tầng KĐ: Trở kháng vào Zv; trở kháng ra Zr: hệ số KĐ dòng Ki; hệ số KĐ điện áp Ku và hệ số KĐ công suất Kp Bộ môn kỹ thuật điện tử Trường ĐHGTVT Phân tích sơ đồ EC 1. Chế độ tĩnh: Nhiệm vụ của tính toán chế độ tĩnh là xác định điểm công tác tĩnh và giá trị các linh kiện của mạch cung cấp. Giả thiết biên độ điện áp ra yêu cầu Ur= 2V, dùng BJT cóβ=100; UCER= Các bước thiết kế: Bước 1: tính lương biến đổi điện áp ra trên C ΔUc=2Ur=4V. Đồng thời điện áp tối thiểu trên C Ucmin=UE+UCER do có sử dụng HT âm dòng điện qua RE, để đảm bảo ổn định chon Ucmin=2,5V do đó Ucc≥Ucmin + ΔUc= 6,5V. Do còn sụt áp trên điện trở RC chúng ta chọn Ucc= 8V. Bước 2: Xác định điện áp trên RE để ổn định điểm làm việc, như trên đã chọn UE=2V. Bộ môn kỹ thuật điện tử Trường ĐHGTVT Bước 3: Chọn Ic, vì không yêu cầu đặc biệt nên có thể chọn tùy ý, với tín hiệu nhỏ thường chọn Ic cỡ mA. Ở đây chọ Ic=1mA. Bước 4: Tính RE=UE/IE~UE/Ic= 2kΩ Bươc 5: Chọn Ip=10IB~10Ic/β=100μA Bước 6: Tính (R1+R2)= Ucc/Ip = 80kΩ Bước 7: Tính R1=UB/Ip=(UE+UBE)/Ip= (2+0,7)/10‾4 =27kΩ (dùng điện trở chuẩn). Bước 8: Tính R2=(R1+R2)-R1=80-27=53kΩ. Chọn R2=56kΩ. Bước 9: Chọn điện áp tĩnh trên C. Vì không có yêu cầu đặc biệt, nên không cho trước Rc. Chọn UCo sao cho nằm giữa dải động, tức: UCo=Ucc-1/2.(Ucc-UE-UCER)= 8-1/2.(8-2-0,5)= Bước 10: Tính Rc=(Ucc-UCo)/Ic= (8-5,25)/10‾3 = 2,75kΩ~2,7kΩ. Tính công suất tổn hao trên C của BJT: Pth=Ic(Uco-UE) = . | Bộ môn kỹ thuật điện tử Trường ĐHGTVT Chương 4 Các sơ đồ cơ bản của tầng KĐ tín hiệu nhỏ và mạch ghép Nguyên tắc chung phân tích mạch KĐ Khi phân tích sơ đồ của một tầng KĐ vấn đề cơ bản nhất là chọn được cách biểu diễn thích hơp cho các phần tử tích cực, với khu vực tín hiệu nhỏ, tần số thấp thường dùng sơ đồ tương đương hình ∏ cho phép minh họa đầy đủ tính chất vật lí của mạch hoặc sơ đồ tương đương mạng 4 cực. Với tần số cao thường dùng sơ đồ tương đương Y vì xuất hiện nhiều yếu tố điện dẫn kí sinh ảnh hưởng tới mạch điện Các tham số cơ bản khi phân tích tầng KĐ: Trở kháng vào Zv; trở kháng ra Zr: hệ số KĐ dòng Ki; hệ số KĐ điện áp Ku và hệ số KĐ công suất Kp Bộ môn kỹ thuật điện tử Trường ĐHGTVT Phân tích sơ đồ EC 1. Chế độ tĩnh: Nhiệm vụ của tính toán chế độ tĩnh là xác định điểm công tác tĩnh và giá trị các linh kiện của mạch cung cấp. Giả thiết biên độ điện áp ra yêu cầu Ur= 2V, dùng BJT cóβ=100; UCER= Các bước thiết kế: Bước 1: tính lương biến đổi điện áp ra trên