tailieunhanh - Ultra Wideband Boris LembrikovSCIYO Part 8

Tham khảo tài liệu 'ultra wideband boris lembrikovsciyo part 8', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 204 Ultra Wideband Comparisons The circuit in Figure 40 is simulated in a CMOS technology with a power supply of . The complete VCO with the values of its elements is shown in Figure 48. The total power is with dc current of 2mA in active inductor and 17mA in the main core of oscillator. Tuning range of is achieved by varying Vtune from 1V to as shown in Figure 49. Maximum quality factor of active inductor is acquired at with inductance. At 1MHz frequency offset phase noise varies from Hz to -70dBc Hz. Fig. 48. The final circuit used for simulation Ultra wideband oscillators 205 Fig. 49. Frequency variation with Vtune Comparison of the accuracy between frequencies computed from 43 and those obtained from simulation are shown in Figure 50. Vtune can be increased until the parallel NMOS in active resistor switches on. As a result the active inductor can be tuned from to as depicted in Figure 51. Fig. 50. a simulation results b frequencies derived from equation 43

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.