tailieunhanh - BÁO CÁO MÔN QUANG PHỔ ỨNG DỤNG

Tác giả: Hua Shen: Khoa Vật Lý, ĐH Khoa học và kĩ thuật Nam Kinh, Trung Quốc. Linxing Shi, liyong Jiang, Xiangyin Li: Vi ện Kĩ Thuật Điện Tử và Quang Điện, ĐH Khoa học và kĩ thuật Nam Kinh, Trung Quốc. Liên hệ tác giả: Đi ện tho ại: + 86 2584315592, email: ceryslx@ () 2. Tên bài báo: Co-emission of UV, violet and green photoluminescence of ZnO/TiO 2 thin film (Tiếng Việt: Đ ồng phát quang tia tử ngoại, tia tím và tia lục của màng mỏng ZnO/TiO2) | ĐẠI HỌC QUỐC GIA - HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHI ÊN Số 227 đường Nguyễn Văn Cừ Tp. HCM Tel 38 353 193 - Fax 38 350 096 BÁO CÁO MÔN QUANG PHỔ ỨNG DỤNG HVCH Nguyễn Đỗ Minh Quân CHUYÊN NGÀNH Vật lý vô tuyến và điện tử NHÓM 2 ĐỒNG PHÁT QUANG TIA TỬ NGOẠI TIA TÍM TIA LỤC Ở M ÀNG MỎNG ZnO TiO2 BIỆN LUẬN KẾT QUẢ ĐO DUNG DỊCH SnO2 TiO2 VỚI CÁC NỒNG ĐỘ KHÁC NHAU wwwaniewtayvwjami A Tp. Hồ Chí Minh - Tháng 2010 1 Phân I TÌM HIỂU ĐỒNG PHÁT QUANG TIA TỬ NGOẠI TIA TÍM TIA LỤC Ở M ÀNG MỎNG ZnO TiO2 1. Tên tạp chí Material letters Số th ứ t ự 61 xuất bản năm 2007. S ố trang 3 4735 đến trang 4737 . Tác giả Hua Shen Khoa Vật Lý ĐH Khoa học và kĩ thuật Nam Kinh Trung Quốc. Linxing Shi liyong Jiang Xiangyin Li Vi ện Kĩ Thuật Điện Tử và Quang Điện ĐH Khoa học và kĩ thuật Nam Kinh Trung Quốc. Liên hệ tác giả Đi ện tho ại 86 2584315592 email ceryslx@ 2. Tên bài báo Co-emission of UV violet and green photoluminescence of ZnO TiO 2 thin film Tiếng Việt Đ ồng phát quang tia tử ngoại tia tím và tia lục của màng mỏng ZnO TiO2 . 3. Mục đích chính của nghi ên cứu Chế tạo màng mỏng ZnO TiO2 trên đế thủy tinh thạch anh bằng phương pháp bốc bay chùm điện tử. Sử dụng phương pháp nhiễu xạ tia X XRD phổ Raman phổ truyền qua và phổ quang phát quang để nghi ên cứu cấu trúc và đặc tính quang học của màng được tạo. Khảo sát việc sử dụng màng TiO2 làm nền cho màng ZnO để tăng hiệu quả của bức xạ quang phát xạ hoặc thay đổi b ước sóng bức xạ. 4. Phương pháp tạo mẫu - Màng ZnO TiO2 được tạo ra bằng phương pháp phún xạ. - Màng ZnO TiO2 ZnO TiO2 và TiO2 ZnO được lắng đọng trên đế thạch anh Ộ30mm. TiO2 lắng đọng ở nhiệt độ 200oC và ZnO ở 300oC. Bình đã được rút chân không đến áp suất . Khi đó Ar có độ tinh khiết khoảng 18sccm centimet khối trên phút được khắc lên đế trong 5 phút. Cuối cùng một dòng O2 có độ tinh khiết khoảng 35sccm cho TiO làm việc cho TiO2 và cho ZnO. Súng điện tử điện áp khoảng để l àm lắng đọng của .