tailieunhanh - Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 8

Sau đó, nếu tiếp tục gia tăng VDS VDSbh vùng hiếm phía cực D càng rộng làm điểm nghẽn di chuyển về phía cực nguồn S nên dòng ID vẫn giử trị không đổi ( bão hoà) ( ) . Chú ý (1). Do EMOSFET dẫn điện chỉ bằng các hạt tải đa số nên còn gọi lả linh kiện hạt tải đa số hay transistor đơn cực(đơn hướng). (2). Việc điều khiển các hạt tải đa số bằng điện trường nên EMOSFET còn được gọi là linh kiện điều khiển bằng điện trường. (3). Với các. | Sau đó nếu tiếp tục gia tăng VDS VDSbh vùng hiếm phía cực D càng rộng làm điểm nghẽn di chuyên về phía cực nguon S nên dòng ID vẫn giử trị không đôi bão hoà . Chú ý 1 . Do EMOSFET dẫn điện chỉ bằng các hạt tải đa số nên còn gọi lả linh kiện hạt tải đa số hay transistor đơn cực đơn hướ ng . 2 . Việc điều khiển các hạt tải đa số bằng điện trường nên EMOSFET còn được gọi là linh kiện điều khiển bằng điện trường. 3 . Với các EMOSFET kênh p thì lýjuận tương tự nhưng với kênh cảm ứng là các lỗ trống cực S và cực D là các lỗ trống cho sẳn xem giáo trình . a Belmv dwesliold P GS7 X -and P l 0 b x iove tlwesliold p_ p_ GS J t aid p p_ J3 E7 JT- .-EZr-DL-P c Above dweshold p- and saturation V F rom Pnncịplss eV Jectratĩré and Oewces-. Second Edition . Kasap McGraw-Hill 20025 http M ate ri als. u s ask . c a Fig. The MOSFKT ỉd vs characteristics 3. Đặc tuyến và phương trình dòng ID 1. Đặc tuyến ra ID f VDS tại VGS hs. 2. Đặc tuyến truyền ID f VGS tại VDS hs. Fig. a Typical ID vs Vcharacteristics of an enhancement MOS FET 4 V for various fixed gate voltages VGS. b Dependence of ID on VGS at a given V F DS saộ . From of Eteciron c Materials and De vices . Second E d t on . Kasap McGraw-Hill 2002 htt p Z M a t e r i a I s. u sa sk. c