tailieunhanh - Giáo trình KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - Chương 4

Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực TRANSISTOR MỐI NỐI LƯỠNG CỰC Transistor mối nối lưỡng cực (BJT) được phát minh vào năm 1948 bởi John Bardeen và Walter Brittain tại phòng thí nghiệm Bell (ở Mỹ). Một năm sau nguyên lí hoạt động của nó được William Shockley giải thích. Những phát minh ra BJT đã được trao giải thưởng Nobel Vật lí năm 1956. Sự ra đời của BJT đã ảnh hưởng rất lớn đến sự phát triển điện tử học. BJT ≡ Bipolar Junction Transistor ≡ Transistor mối nối lưỡng cực ≡ Transistor tiếp xúc lưỡng cực ≡ Transistor. | Chương 4 Transistor mối nối lưỡng cực Chương 4 TRANSISTOR MỐI NỐI LƯỠNG cực Transistor mối nối lưỡng cực BJT được phát minh vào năm 1948 bởi John Bardeen và Walter Brittain tại phòng thí nghiệm Bell ở Mỹ . Một năm sau nguyên lí hoạt động của nó được William Shockley giải thích. Những phát minh ra BJT đã được trao giải thưởng Nobel Vật lí năm 1956. Sự ra đời của BJT đã ảnh hưởng rất lớn đến sự phát triển điện tử học. BJT - Bipolar Junction Transistor - Transistor mối nối lưỡng cực - Transistor tiếp xúc lưỡng cực - Transistor tiếp giáp hai cực - Transistor lưỡng nối - Transistor lưỡng cực. . Cấu tạo - kí hiệu B C N P N E a C C B ĩ B K E E b c Hình . Cấu tạo a - mạch tương đương với cấu tạo b - kí hiệu c của BJT loại NPN. C C B C VBB PNP E c a E b b E Hình . Cấu tạo a - mạch tương đương với cấu tạo b - kí hiệu c của BJT loại PNP. BJT là một linh kiện bán dẫn được tạo thành từ hai mối nối P - N nhưng có một vùng chung gọi là vùng nền. Tùy theo sự sắp xếp các vùng bán dẫn mà ta có hai loại BJT NPN PNP. 63 Chương 4 Transistor mối nối lưỡng cực Ba vùng bán dẫn được tiếp xúc kim loại nối dây ra thành ba cực - Cực nền B Base - Cực thu C Collector - Cực phát E Emitter Trong thực tế vùng nền rất hẹp so với hai vùng kia. Vùng thu và vùng phát tuy có cùng chất bán dẫn nhưng khác nhau về kích thước và nồng độ tạp chất nên ta không thể hoán đổi vị trí cho nhau. . Nguyên lí hoạt động Hình . Mạch khảo sát để giải thích nguyên lí hoạt động của BJT. Khi chưa có nguồn cấp điện VCC VEE thì BJT có hai mối nối P -N ở trạng thái cân bằng và hàng rào điện thế ở mỗi mối nối duy trì trạng thái cân bằng này. Với hình ta chọn nguồn VCC VEE và trị số điện trở sao cho thỏa điều kiện - Mối nối P - N giữa B và E lớp tiếp giáp lớp tiếp xúc JE được phân cực thuận. - Mối nối P - N giữa B và C lớp tiếp giáp lớp tiếp xúc JC được phân cực nghịch. - VBE đạt thế ngưỡng tùy loại BJT. Điện tử từ cực âm của nguồn VEE di chuyển vào vùng phát qua vùng nền đáng lẽ trở về cực dương của nguồn .