tailieunhanh - Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 3

Chương 3:Công nghệ xử lý CMOS CÔNG NGHỆ XỬ LÝ CMOS Quy trình tạo Wafer Silic là chất bán dẫn trong trạng thái tinh khiết hay bán dẫn thuần, là chất có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Độ dẫn điện của bán dẫn có thể thay đổi bằng cách pha tạp chất vào Silic từ đó hình thành hai loại chất bán dẫn mới là n và p, tùy thuộc vào nồng độ pha mà ta có n+ và p+. Từ một lò nấu nỏng chảy Silic đa tinh thể kéo ra được thỏi. | Chương 3 Công nghệ xử lý CMOS Chương 3 CÔNG NGHỆ XỬ LÝ CMOS Quy trình tạo Wafer Silic là chất bán dẫn trong trạng thái tinh khiết hay bán dẫn thuần là chất có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Độ dẫn điện của bán dẫn có thể thay đổi bằng cách pha tạp chất vào Silic từ đó hình thành hai loại chất bán dẫn mới là n và p tùy thuộc vào nồng độ pha mà ta có n và p . Từ một lò nấu nỏng chảy Silic đa tinh thể kéo ra được thỏi Silic đơn tinh thể bằng cách dùng thạc anh làm mồi và kéo lên phương pháp này gọi là phương pháo Czochralski. Ngày nay phương pháp phổ biến là sản xuất thẳng vật liệu đơn tinh thể bằng cách cho lượng tạp chất bổ sung vào Silic nóng chảy để cho đơn tinh thể với các chất dẫn điện theo yêu cầu. Beginning of crystal growth Hình Phương pháp Czochralski 10 Chương 3 Công nghệ xử lý CMOS Melting of Introduction of Beginning of polysilicon the seed crystal the crystal doping growth Crystal Formed crystal pulling with a residu of melted silicon Hình Thỏi Silic được kéo ra Từ một thỏi Silic hình trục cưa ngang ta được các miếng wafer. b Grind c Saw off ingot into ingot to ingot wafers -diameter ends damage Hình Các tạo một wafer 11 Chương 3 Công nghệ xử lý CMOS Có nhiều độ rộng wafer khác nhau và càng ngày kích thước càng được tăng rộng Single die ----Wafer AMDỈ1 th on Hình Hình dạng và kích thước wafer Phương pháp khuếch tán và bắn electron Để tạo nên các linh kiện khác nhau thì cần phải có các bán dẫn khác nhau như n p n và p . Để tạo được các chất bán dẫn khác nhau cần phải pha tạp chất với những tỷ lệ khác nhau muốn làm được điều này cần phải sử dụng Epitaxy lắng đọng hay nuôi cấy và khuếch tán. Epitaxy bao hàm việc nuôi một màng đơn tinh thể lên bề mặt của Silic đã là đơn tinh thể rồi bằng đưa bề mặt wafer chịu nhiệt độ nâng cao và nguồn của chất pha vào. Lắng đọng phải bao hàm quá trình bốc hơi vật liệu kích thích vào vật liệu Silic theo sau bằng một .