tailieunhanh - Tóm tắt báo cáo nghiên cứu khoa học " CÁC TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN CỦA MÀNG MỎNG ĐA LỚP TẠO BỞI PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON "

TÓM TẮT MỤC ĐÍCH, NỘI DUNG NGHIÊN CỨU − Màng dẫn điện trong suốt được lắng đọng trên đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm ( ZnO + 2% WtAl2O3 ). Tính chất điện quang và cấu trúc tinh thể của màng được khảo sát chi tiết theo nhiệt độ đế Ts, áp suất Ar và vị trí đế x. Đã nhận được kết quả tối ưu với ρ~. 10-4 Ω, độ truyền qua vùng khả kiến T≥ 85%, độ phản xạ hồng ngọai R ≥ 85%. − Màng mỏng NiOx được chế tạo bằng phương. | Hội nghị tổng kết NCCB trong KHTN khu vực phía Nam năm 2005 CÁC TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN CỦA MÀNG MỎNG ĐA LỚP TẠO BỞI PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON Mã số đề tài 440303 Tên chủ nhiệm đề tài . TRẦN TUẤN Cơ quan công tác Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG Địa chỉ 227 Nguyễn Văn Cừ Điện thoại 8350831 Email tuan_tr2004@. Thành viên tham gia 8 1. TÓM TẮT MỤC ĐÍCH NỘI DUNG NGHIÊN CỨU - Màng dẫn điện trong suốt được lắng đọng trên đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm ZnO 2 WtAl2O3 . Tính chất điện quang và cấu trúc tinh thể của màng được khảo sát chi tiết theo nhiệt độ đế Ts áp suất Ar và vị trí đế x. Đã nhận được kết quả tối ưu với p . 10-4 O độ truyền qua vùng khả kiến T 85 độ phản xạ hồng ngọai R 85 . - Màng mỏng NiOx được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron trên đế thủy tinh. Tính chất hấp thụ quang năng của màng được khảo sát thông qua các phổ truyền qua và phổ phản xạ. Công trình cũng tiến hành nghiên cứu hiệu suất chuyển hoá quang năng thành nhiệt năng của màng. - Màng đa lớp WO3 ITO được lắng đọng trên đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ magnetron. Cấu trúc màng được khảo sát qua phổ XRD. Các thông số quang học của màng được xác định từ phổ UV-VIS. Khảo sát đặc trưng của màng bằng dộ truyền qua thay đổi theo thời gian trong quá trình nhuộm và tẩy màu. - Tế bào mặt trời tiếp xúc di thể ZnO Al p-Si được chế tạo trên đế Si loại p bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm ZnO Al . Với độ dày màng ZnO Al là 1 Lim được phủ ở nhiệt độ 1600C áp suất 10-3 torr trong khí Argon điện trở đạt được của màng là 4 4 Om và độ truyền qua trung bình là 86 - 87 trong vùng khả kiến. Tiếp xúc ohmic phía sau pin và điện cực mặt trước là kim loại Al được chế tạo bằng phương pháp bốc bay. Tế bào mặt trời thu được tốt nhất có thế hở mạch Voc 513 mV mật độ dòng đoản mạch Jsc 37 6 mA cm2 hệ số lấp đầy FF 0 4 hệ số chuyển đổi n 8 . - Màng dẫn điện trong suốt ZnO Al được phủ trên đế PET polyethylene glycol .