tailieunhanh - Giáo án điện tử công nghệ: bán dẫn 3 lớp

Gồm 3 lớp bán dẫn kết hợp với nhau tạo thành hai loại tranzito NPN và PNP tranzitocó 3 cực E B C mũi tên ở cực E chỉ chiều dòng điện đi qua. | ÑIEÄN TÖÛ CÔ BAÛN 1 BAÙN DAÃN 3 LÔÙP BJT ; JFET ; MOSFET NOÄI DUNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS) MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FET) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÁU TAÏO VAØ KYÙ HIEÄU: C: Collector (cực thu) B: Base (cực nền) E: Emitter (cöïc phaùt) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÁU TAÏO THÖÏC TEÁ : B C E TO-92 TO-92 MOD B C E E C B TO-126 MOD TO-126 FM E C B TO-3 C B E B C E TO-3P B C E TO-220AB TO-3PFM TO-220FM TO-220CFM B C E B C E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IC NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: ICBO C B BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IC IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: IE IC IB ICBO C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÙC THOÂNG SOÁ BJT : EN IE IC IB IE IC IB C B E ICBO = SOÁ HAÏT ÑEÁN ÑÖÔÏC C SOÁ HAÏT PHAÙT RA TÖØ E IC = .IE +ICBO IE = IB +IC = IC IB HEÄ SOÁ KHUEÁCH ÑAÏI = 1 - + 1 = QUAN HEÄ GIÖÕA VAØ : BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÙC THOÂNG SOÁ BJT : BJT (CAÙC KIEÅU NOÁI DAÂY ) KIEÅU NOÁI B CHUNG (CB): ZIN nhoû (10 100) ; ZOUT lôùn (50k 1M ) Chæ Khueách Ñaïi Aùp Khoâng Khueách Ñaïi Doøng IE IC IB E C B P N P VEE VCC + - + - IE IC IB C B E VEE VCC + + RL RL IE IC IB C B E VEE VCC + + IE IC IB E C B N P N VEE VCC - + - + RL RL Vuøng tích cöïc Vuøng baõo hoøa IC (mA) 7mA 6mA 5 mA 4mA 3mA 2mA 1mA IE =0 mA Vuøng ngöng daãn VCB(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 1 0 5 10 15 20 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) 10 30 50 70 90 100 IB (µA) VCE = 1V VCE = 10V VCE = 20V 0 (b) VCE(V) IC (mA) 5 10 15 20 Vuøng ngöng daãn ICEO (a) VCE (BH) 0 1 2 3 4 5 6 Vuøng baõo hoøa 7 IB = 0 µA IB = 10 µA IB = 20 µA IB = 30 µA IB = 40 µA IB = 50 µA IB = 60 µA IB = 70 µA IB = 80 µA Vuøng tích cöïc RL RL BJT (CAÙC KIEÅU NOÁI DAÂY ) KIEÅU NOÁI E CHUNG (CE): BJT (CAÙC KIEÅU NOÁI DAÂY ) KIEÅU NOÁI C CHUNG (CC): RL RL ÑAËC TUYEÁN GAÀN NHÖ KIEÅU CE ZIN lôùn (50k 1M ) ; ZOUT nhoÛ | ÑIEÄN TÖÛ CÔ BAÛN 1 BAÙN DAÃN 3 LÔÙP BJT ; JFET ; MOSFET NOÄI DUNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS) MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FET) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÁU TAÏO VAØ KYÙ HIEÄU: C: Collector (cực thu) B: Base (cực nền) E: Emitter (cöïc phaùt) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÁU TAÏO THÖÏC TEÁ : B C E TO-92 TO-92 MOD B C E E C B TO-126 MOD TO-126 FM E C B TO-3 C B E B C E TO-3P B C E TO-220AB TO-3PFM TO-220FM TO-220CFM B C E B C E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IC NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: ICBO C B BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IC IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: IE IC IB ICBO C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÙC THOÂNG SOÁ BJT : EN IE IC IB IE IC IB C B E ICBO = SOÁ HAÏT ÑEÁN ÑÖÔÏC C SOÁ HAÏT PHAÙT RA TÖØ E IC = .IE +ICBO IE = IB +IC = IC IB HEÄ SOÁ KHUEÁCH ÑAÏI = 1 - + 1 = QUAN HEÄ GIÖÕA VAØ : BJT .