tailieunhanh - Pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử ( quantum well solar cell

Cấu trúc QW & MQW B(L’) // A( L ) // B( L’ ) QW B/A/B/A/B/A/B/A MQW Kiến thức về gián đoạn vùng và sự kiểm soát nó đóng vai trò quyết định trong việc chế tạo Q = (Ec) /(Eg) (Dingle) | Quantum well solar cell pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử Nguyễn Tiến Long k12 CNKHTN-ĐHQGHN Outline Nguyên lí Chế tạo Ưu thế Ứng dụng Nguyên lí Cấu trúc giếng lượng tử (QW) Nguyên liệu chế tạo QW Phân loại QW Hố lượng tử GaAs/GaAsAl outline History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguyên lí,giải thích Classification-phân loại Application- ứng dụng Cấu trúc QW & MQW B(L’) // A( L ) // B( L’ ) QW B/A/B/A/B/A/B/A MQW Kiến thức về gián đoạn vùng và sự kiểm soát nó đóng vai trò quyết định trong việc chế tạo Q = ( Ec) /( Eg) (Dingle) outline History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguyên lí,giải thích Classification-phân loại Application- ứng dụng Nguyên liệu làm QW Chất lượng của giao diện giữa hai vật liệu khác biệt A và B được đánh giá quan trọng nhất qua hằng số mạng Tăng trưởng giả định hình rất cần để đạt được chất lượng cao của chuyển tiếp dị thể QW GaAs/GaAlAs và InGaAs/In­P quan trọng nhất về mặt công nghệ outline History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguyên lí,giải thích Classification-phân loại Application- ứng dụng QW GaAs/GaAsAl Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ vào cường độ điện trường Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ vào độ rộng L của hố lượng tử. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ sóng điện từ vào nhiệt độ T Ưu điểm +) Có thể thay đổi gianh giới của giải hấp thụ và hấp thụ được dải rộng hơn + ) Không gấy sai hỏng,trật khớp khi có khoảng tử 65 giếng thế được tạo ra +) Khả năng thay đổi Eg dẫn tới hiệu suất nối tiếp ,tiếp đôi sẽ cao hơn Cải tiến pin bằng chấn tử phân bố phản quang Bragg tăng hiệu suất hấp thụ Ánh sáng Tăng dòng quang điện Không hề gây cản trở dòng Distributed Bragg Reflectors [3] . Johnson et al. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005 Distribute Bragg reflector is a dielectric mirror made from alternative layers of high and low bandgap material In this case we use AlGaAs alloys which have a lattice constant very close to that of the GaAs substrates that the devices are grown on. DBR stop-band over QW absorption region gives photons second pass Efficiency enhancement of ~1% absolute or ~4% relative [1] Thin DBR layers to reduce resistance Stop band moves with incident angle ORIGINAL AIM WAS TO INCREASE EFFICIENCY BY ABSORBING ADDITIONAL PHOTONS Giải thích Mục đích của DBR là hấp thụ các photon khi chúng đi qua MQW lần thứ hai ,hoặc giam cầm nó trong MQW,và cũng hấp thụ chúng trực tiếp MQW DBR MQW DBR Các photon bị hấp thụ lần thứ hai sẽ làm giảm dòng tối trong pin Photon tái xử dụng làm hiệu suất pin lên tới 30,8% (Barham ) Thế mạnh của SB-QWSC + Công suất dòng pin được nhân lên gần gấp đôi + Dải hấp thụ rộng, làm việc ổn định trong nhiều điều kiện biến đổi ánh sáng mặt trời + kích cỡ vài độ mini mét , dễ sản xuất Ứng dụng + Công trình tích hợp năng lượng quang điện + Smart Windows +