tailieunhanh - Báo cáo hóa học: " Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device | dos Santos et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 101 http content 6 1 101 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device 1 1 1 1 1 Lara F dos Santos Yara Galvão Gobato Márcio D Teodoro Victor Lopez-Richard Gilmar E Marques I c D D r r i I 2 ỉt I -s r I i -f- - 3 6 I -s IXI I 3 6 Ch I II 1 IX Z X3 h ỉ r I I_I I A ir v 5 Maria JSP Brasil Milan Orlita Jan Kunc Duncan K Maude Mohamed Henini Robert J Airey Abstract We have investigated the polarization-resolved photoluminescence PL in an asymmetric n-type GaAs AlAs GaAlAs resonant tunneling diode under magnetic field parallel to the tunnel current. The quantum well QW PL presents strong circular polarization values up to -70 at 19 T . The optical emission from GaAs contact layers shows evidence of highly spin-polarized two-dimensional electron and hole gases which affects the spin polarization of carriers in the QW. However the circular polarization degree in the QW also depends on various other parameters including the g-factors of the different layers the density of carriers along the structure and the Zeeman and Rashba effects. Introduction The understanding of the physics governing the dynamics of spin-polarized carriers in semiconductor structures is a fundamental issue for the development of new spintronic devices. In the past years several systems have been proposed for spin-based devices including magnetic metal semiconductor junctions all metallic devices and all semiconductor systems 1-10 . However the change of the polarization requires the use of an applied external magnetic field to change the contact magnetization. For some device applications it would be interesting to have devices where the spin character of the injected or detected electrons could be voltage selected. One possible approach to achieve this goal is based on resonant tunneling diodes RTDs because the spin character of

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học