tailieunhanh - Kỹ thuật mạch điện tử - Chương 3

Tài liệu tham khảo giáo trình kỹ thuật mạch điện tử ( Phạm Minh Hà - Nxb khoa học và kỹ thuật ) dành cho sinh viên chuyên ngành vô tuyến điện tử - Chương 3 Cung cấp và ổn định chế độ công tác cho các tầng transistor | Chương 3 CUNG CẤP VÀ ỔN ĐỊNH CHÊ ĐỘ CÔNG TÁC CHO CÁC TẦNG DÙNG TRANZISTOR . Đặt vấn đề Như đã xét ở chương 1 trong các tẩng khuếch đại tín hiệu nhỏ điểm làm việc năm trong mien tích cực của tranzistor lưỡng cực hoặc nàm trong miền thắt của Fet riêng đối với các tấng khuếch đại làm việc ở chế độ B hoặc c sẽ được nói đến ở chương ổ . ỏ chế độ tĩnh nghĩa là khi chưa có tín hiệu vào trên các cực của tranzistor có các dòng điện tỉnh Iq hoặc Iq 7g hoặc Iq 0 và điện áp một chiêu 77CE hoặc 77DS 77BE hoặc UGS . Điểm làm việc ứng với chế độ này gọi là điểm làm việc tĩnh. Khi co tín hiệu vào thì các điện áp và dòng điện thay đổi xung quanh giá trị tĩnh. Để đảm bảo cho các tẩng làm việc bình thường trong những điêu kiện khác nhau ngoài việc cung cấp diện áp thích hợp cho các cực còn càn phải ồn dinh diểm làm việc tỉnh dã chọn. Nếu không chất lượng làm việc của tẩng méo hệ số khuếch dại diện áp ra dòng diện ra công suất ra bị giảm sút. Thực chẵt của văn đề ổn định là làm cho điểm làm việc không phụ thuộc vào độ tạp tán của tham số tranzistor vào Phiệt độ vào điện áp nguổn cung cấp cụ thể là áp dụng các biện pháp dể giữ cho dòng colecto 7C hoặc dòng máng 7D không dổi xem . . Mạch cung cấp và ổn định chế độ công tác của các tầng dùng tranzistor lưỡng cực . Chế độ tĩnh Vể nguyên tác việc cung cấp cho tranzistor để xác định điểm công tác tĩnh phải dảm bảo sao cho tranzistor luôn luôn làm việc trong mièn tích cực xem bảng và các tham số của nó luôn luôn thỏa mãn các dièu kiện cho phép. Muốn vậy phải đảm bảo những yêu cắu sau 1 Diện thế colecto phải dương hơn điện thế bazo đối với tranzistor npn và âm hơn điện thế bazo đối với tranzistor pnp từ một von đến vài von. 2 Mặt ghép bazơ - emito phải được phân cực thuận 77BE 0 7V đối với tranzistor silic và IĨ7BEI 0 3V đối với tranzistor gecmani . 3 Dòng oolecto phải lớn hơn dòng điện dư colecto -emito nhiểu nghĩa là I IG I I IcEo I . 4 Phải đảm bảo các điểu kiện cho phép vể dòng áp công suất và nhiệt độ xem mục .