tailieunhanh - Giáo trình Oxy hóa nhiệt 1

Ôxit SiO2 là chất vô định hình Là chất cách điện lý tưởng Điện trở suất 1E20 Ohm-cm Độ rộng vùng cấm ~ 9 eV Khối lượng riêng = 2,2 gm/cm3 , trong khi của SiO2 (thạch anh) = gm/cm3 Mật độ phân tử = 2,3E22 phân tử / cm3 | o xy hóa nhiệt đối với Si TS. Lê Tuấn Đại học Bách khoa Hà Nội Ô xy hóa nhiệt đố vớ Silic Tính chất chung của ôxit Silic SiO2 Ôxit SiO2 là chất vô định hình Khối lượng riêng 2 2 gm cm3 trong khi của SiO2 thạch anh gm cm3 Mật độ phân tử 2 3E22 phân tử cm3 Là chất cách điện lý tưởng Điện trở suất 1E20 Ohm-cm Độ rộng vùng cấm 9 eV Có giá trị điện trường đánh thủng cao Ebr 10 MV cm - Có bề mặt phân cách Si SiO2 ổn định và dễ lặp lại Có lớp ôxit mọc bao quanh bề mặt tiếp xúc với bên ngoài của Si SiO2 Substrate Thermal Oxidation S1O2 Substrate - Là mặt nạ rất tốt đối với khuếch tán các tạp chất thông dụng - Có tính ăn mòn phân biệt rất tốt với Si 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội 2 Ô xy hóa nhiệt tiếp Tiêu hao chiều dày Si khi tạo SiO2 bằng ô xy hóa nhiệt - Tính toán chiều dày lớp ô xit Mật độ Si Mật độ SiO2 Cứ 1 ụm Si bị ô xy hóa tạo nên 2 17 ụm SiO2 Động học quá trình ô xy hóa nhiệt Si Khuếch tán khí Khuếch tán rắn Hình thành SiO2 Luồng chất ô xy hóa Khô O2 Ẩm H2O hoặc O2 H2O Lớp chuyển tiếp luồng khí Lớp SiO2 được tạo ra I 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội