tailieunhanh - bài giảng môn học quang điện tử và quang điện, chương 14

Radiating junction devices - Khi có dòng thuận qua LED hoặc IRED, các photon được bức xạ từ diode junction do tái hợp điện tử và lỗ trống tại miền chuyển tiếp (junction). - Bước sóng photon là hàm của chuyển mức năng lượng xảy ra trong quá trình tái hợp. - Đa số linh kiện LED và IRED chế tạo từ các vật liệu trên cơ sở gallium. Bảng LED materials and wavelengths Material GaP (gallium phosphide) GaP (gallium phosphide) GaAsP (gallium arsenide phosphide) GaAlAs (gallium aluminum arsenide) GaAs (gallium arsenide) wavelength (nm) 520—570 630—790 640—700 650—700 920—950) Comment s Green. | CHƯƠNG 14 MỘT SỐ LINH kiện quang điện TỬ THÔNG DỤNG RADIATING DIODES AND DISPLAY DEVICES 1 Radiating junction devices - Khi có dòng thuận qua LED hoặc IRED các photon được bức xạ từ diode junction do tái hợp điện tử và lỗ trống tại miền chuyển tiếp junction . - Bước sóng photon là hàm của chuyển mức năng lượng xảy ra trong quá trình tái hợp. - Đa số linh kiện LED và IRED chế tạo từ các vật liệu trên cơ sở gallium. Bảng LED materials and Material GaP gallium phosphide GaP gallium phosphide GaAsP gallium arsenide GaAlAs gallium aluminum GaAs gallium arsenide wavelength nm Comment 520 570 Green 630 790 Red 640 700 Orange- 650 700 Red 920 950 Infrared - Các LED hoặc IRED tiêu biểu có lớp vật liệu N tương đối dày được phủ vàng ở mặt đáy. Mặt trên của linh kiện là lớp P rất mỏng cỡ vài pm cho phép các photon bức xạ ra ngoài. Lớp N có thể gồm môtl số lớp của các vật liệu chứa Ga được pha tạp khác nhau để cho bước sóng mong muốn. - Các diode trên cơ sở Ga có thế thuận tương đối cao so với Si và Ge. Đặc trưng dòng thế của LED ít dốc hơn nhiều so với Si diode. Data sheets - Các đặc tả của LED HLMP-3000 Introductory comments Red solid state lamps Absolute maximum ratings at Ta 25oC power dissipation 100mW DC forward current 50 mA derating linearly from 50oC at mA oC Peak forward current 1Amp 1psec pulse width 300pps 1-A current is applied to the device for a 1-ps interval once every 3333 ps hay tần số 300 Hz . - Quan hệ giữa công suất đỉnh peak power của xung được phép không phá hủy linh kiện và công suất trung bình Pavg Ppeakx pulse width period Tốc độ được phép liên quan với hằng số thời giannhiệt là hàm của khối lượng diện tích bề mặt bức xạ và độ dẫn. Công thức trên áp dụng khi độ rộng xung công suất điện áp đặt nhỏ hơn nhiều so với hằng số thời gian nhiệt. Hằng số thời gian nhiệt thường không được cho trong data sheet khi cần phải đo thực nghiệm. Đa số LED package có hằng số thời gian nhiệt nhỏ hơn 1 phút tần số xung thường cần lớn hơn 1kHz. - Cần chú ý bảng các

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.